阵列基板及其制造方法技术

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有底电极、钝化层、辅助电极、电致发光层和顶电极；其中，所述钝化层上设置有过孔，所述底电极与所述辅助电极通过所述过孔电连接，所述底电极和所述顶电极均能够反射光线，所述辅助电极能够透射光线，且所述底电极和所述顶电极中存在至少一个电极的材质为半透半反材质。本申请解决了OLED显示装置的制造效率较低的问题，提高了OLED显示装置的制造效率，本申请用于显示装置的制造。

Array substrate and its manufacturing methods

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, belonging to the display technology field. The array substrate includes: a substrate substrate, a bottom electrode, a passivation layer, an auxiliary electrode, an electroluminescent layer, and a top electrode in turn, wherein the passivation layer is provided with an over hole, and the bottom electrode is electrically connected to the auxiliary electrode through the hole, and the bottom electrode and the top electrode are both capable of being electrically connected. Enough to reflect light, the auxiliary electrode can transmit light, and the material of at least one electrode in the bottom electrode and the top electrode is half through half reverse material. The application solves the problem of low manufacturing efficiency of the OLED display device, improves the manufacturing efficiency of the OLED display device, and is applied to the manufacture of the display device.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法
本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
在显示
，有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode；简称：OLED)显示装置具有自发光、高响应速度、高色域、广视角、超薄和低功耗等优点，可广泛应用于照明、大尺寸电视和柔性手机中，成为继液晶显示装置之后主流的显示装置。一般常见的OLED显示装置中的阵列基板包括：在衬底基板上依次叠加的底电极、电致发光层及顶电极。当向底电极和顶电极施加电压时，底电极上产生的空穴和顶电极上产生的电子分别进入电致发光层，并在电致发光层中结合发光。需要说明的是，通常底电极为反射率较高的材质，顶电极为半透半反材质，底电极和顶电极之间形成微腔；且微腔的腔长(也即底电极和顶电极之间的距离)越长，从该微腔射出的光线的亮度和色纯度越高。相关技术中，为了提高OLED显示装置发出光的亮度和色纯度，需要增大电致发光层的厚度，以增大微腔的腔长。由于相关技术中在增大微腔的腔长时，需要增大电致发光层的厚度，且通常形成电致发光层所需的时长较长，因此，相关技术中OLED显示装置的制造效率较低。
技术实现思路
本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有底电极、钝化层、辅助电极、电致发光层和顶电极；其中，所述钝化层上设置有过孔，所述底电极与所述辅助电极通过所述过孔电连接，所述底电极和所述顶电极均能够反射光线，所述辅助电极能够透射光线，且所述底电极和所述顶电极中存在至少一个电极的材质为半透半反材质。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有底电极、钝化层、辅助电极、电致发光层和顶电极；其中，所述钝化层上设置有过孔，所述底电极与所述辅助电极通过所述过孔电连接，所述底电极和所述顶电极均能够反射光线，所述辅助电极能够透射光线，且所述底电极和所述顶电极中存在至少一个电极的材质为半透半反材质。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极包括：辅助子电极，所述辅助子电极的材质为半透半反材质。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极还包括：透明子电极，所述透明子电极设置在所述辅助子电极与所述钝化层之间，所述透明子电极通过所述过孔与所述底电极电连接；或者，所述透明子电极设置在所述辅助子电极与所述电致发光层之间，所述辅助子电极通过所述过孔与所述底电极电连接。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助子电极的功函数大于4电子伏特。5.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助子电极的厚度小于200埃。6.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上还依次设置有像素电路、平坦层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖韦霖，樊燕，吕晨曦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11