CMOS图像传感器的晶圆级封装方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，提供第一晶圆，第一晶圆具有多个图像传感器芯片，图像传感器芯片相互之间具有切割道，图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，感光区域上具有像素单元，非感光区域上具有焊盘；提供塑模，塑模的第一表面有若干第一凹槽，第一凹槽对应于感光区域和部分非感光区域；贴附金属薄片于塑模的第一表面，去除对应于第一凹槽的部分金属薄片；弯折金属薄片至贴附于第一凹槽的侧表面；于第一凹槽中粘合透光盖板；将塑模的第一表面与第一晶圆进行键合，焊盘与金属薄片的水平区域电气连接；去除塑模，暴露出透光盖板、金属薄片，填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽；沿切割道切割键合的晶圆形成封装件。

Wafer level encapsulation method for CMOS image sensor

The invention provides a wafer level encapsulation method for CMOS image sensor, which provides a first wafer. The first wafer has multiple image sensor chips. The image sensor chips have a cutting channel between each other. The image sensor chip has a photosensitive region and a non photoreceptor region. The sensing area has a pixel unit and a non photoreceptor region. The first surface of the mold is provided with a number of first grooves, the first groove corresponds to the photosensitive region and a part of the non photoreceptor area; the first surface of the plastic sheet is attached to the first surface of the mold to remove some of the metal sheet corresponding to the first groove; the bending metal sheet is to the side surface attached to the first groove; The first surface of the mold is bonded with the first wafer, and the welding disc is electrically connected with the horizontal area of the metal sheet; the mould is removed, the transparent cover plate and the metal sheet are exposed, and the second grooves are filled and covered with the metal sheet; the wafer which is cut along the cutter is formed to form the package.

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器的晶圆级封装方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法。
技术介绍
目前，主流的CIS（CMOSImageSensor）芯片封装技术包括：COB(ChipsOnBoard)、CSP(ChipScalePackaging)。在CSP的晶圆级（WaferLevel）封装的过程中，往往首先将包含有若干CIS芯片的晶圆本体键合于玻璃材质的封装基板上，在封装基板上预先制作对应环绕于每一CIS芯片的支撑侧墙。然后进行对晶圆背面线路工艺的处理例如：TSV（ThroughSiliconVia）或T-Contact，在完成相关的工艺后针对晶圆进行切割，形成单个CIS芯片的封装结构。封装基板的作用在于：可形成一密闭的空间，无论是在封装的过程中还是封装完毕后的模组制造中防止尘埃、水汽以及外部的直接接触等因素污染CIS芯片的感光面，并且封装基板在封装加工中会提供一定的支撑以加强加工强度。但是，CSP封装芯片存在如下问题：1、表面的封装基板会带来入光线损失并带来反射光的眩扰（flare）；2、由于CSP封装的结构是由上表面（玻璃）和下表面（硅片）及四周侧墙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片，所述图像传感器芯片相互之间具有切割道，所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元，所述非感光区域上具有焊盘；提供塑模，所述塑模的第一表面有若干第一凹槽，所述第一凹槽对应于图像传感器芯片的感光区域和部分非感光区域；贴附金属薄片于所述塑模的第一表面，去除对应于所述第一凹槽的部分金属薄片；弯折金属薄片至贴附于所述第一凹槽的侧表面；于所述第一凹槽中粘合透光盖板；将所述塑模的第一表面与第一晶圆进行键合，所述焊盘与金属薄片的水平区域电气连接；去除塑模，暴露出透光盖板、金属...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片，所述图像传感器芯片相互之间具有切割道，所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元，所述非感光区域上具有焊盘；提供塑模，所述塑模的第一表面有若干第一凹槽，所述第一凹槽对应于图像传感器芯片的感光区域和部分非感光区域；贴附金属薄片于所述塑模的第一表面，去除对应于所述第一凹槽的部分金属薄片；弯折金属薄片至贴附于所述第一凹槽的侧表面；于所述第一凹槽中粘合透光盖板；将所述塑模的第一表面与第一晶圆进行键合，所述焊盘与金属薄片的水平区域电气连接；去除塑模，暴露出透光盖板、金属薄片，填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽；沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述步骤还包括：于所述金属薄片对应于芯片的感光区域外与焊盘之间的区域覆盖胶水；在所述塑模与第一晶圆进行键合后，固化的胶水与透光盖板密封对应的单个芯片感光区域。3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，采用临时胶合方式贴附金属薄片于所述塑模的第一表面，所述临时胶合方式为：水溶胶合方式、UV照射胶合方式、加热胶合方式。4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，去除塑模及清除临时胶合的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，邓辉，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31