显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、多个子像素区域、位于子像素区域内的第一电极，第一电极包括第一子电极、第二子电极和第三子电极，子像素区域包括沿第二方向依次设置的第一畴区、畴边界区和第二畴区，畴边界区的宽度为A，黑矩阵包括第一黑矩阵，第一黑矩阵在第一基板所在平面的正投影与畴边界区交叠，第一黑矩阵的宽度为B，B1≤B≤B2，其中，B1＝‑1.48+0.95A，B2＝‑3.04+1.28A。如此方案，提高显示面板及显示装置的对比度，改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。

Display panel and display device

The present application discloses a display panel and a display device, which involves a display technical field. A display panel includes a first substrate and a second substrate, a plurality of sub-pixel regions, a first electrode located in a sub-pixel area, and a first electrode, a second sub electrode and a third sub electrode, and a sub pixel area package. The first domain, domain boundary area and second domain region are arranged in second directions, the width of the domain is A, the black matrix includes the first black matrix, the first black matrix overlaps the positive projection of the plane of the first base plate and the domain boundary area, the width of the first black matrix is B, and the B1 is less than B < B2, of which, B1 = 1.48+0.95A, B2 =. 3.04+1.28A. In this way, the contrast between the display panel and the display device is improved, and the display performance of the dual domain structure display panel and display device is improved.

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本申请涉及显示
，具体地说，涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
IPS(In-PlaneSwiching，平面内切换)模式以及FFS(FringeFieldSwitching，边缘场开关)模式的液晶显示器提供了一种广视角的液晶器件构造，将像素电极与公共电极设置于同一基板上，通过产生横向电场力以改变液晶分子的光轴在平行于基板平面内的方向角来进行液晶驱动。其中，IPS和FFS模式下的单畴(onedomain)技术因其视角宽、色偏小、功耗低等优点而被广泛应用。然而，随着用户对显示屏性能的要求越来越高，单畴技术中存在的视角色偏、对比度差等缺陷越来越明显，因此双畴(twodomain)技术应运而生。双畴技术将每个像素区域分为两个畴区，两个畴区的液晶相互补偿使得液晶显示器在大视角的光学性能得到很好的提高，同时双畴显示屏不需要具有视角补偿的厚偏光片，也能够满足市场对于液晶显示器越来越薄的要求。图1所示为现有的液晶显示器的双畴像素区域的结构示意图。双畴像素区域的像素电极301被设计成弯折的条状，由此，可以在一个像素区域内的不同区域产生方向不同的电场，从而使得像素区域300中不同畴的液晶分子转动到不同的方向，获得较大的视角。虽然现有的双畴结构在视角方面具有改善作用，但是存在加大的缺陷，在像素区域的两个畴区的交界处，如图1所示附图标记302所示的位置，液晶由于受到两个畴区像素电极301形成的电场在垂直方向作用力大小相同方向相反，液晶无法转动，因此，附图标记所示的位置上的液晶不能够起到改变线偏光偏振方向的作用，最终导致除了零阶灰度之外的各灰阶下，光源均无法通过上偏光片，也即，在附图标记301所示的位置上会产生一条黑线。相类似的，靠近交界处的液晶受到两个畴区的上述电极的作用力相近，液晶也会受到影响，转动困难。上述现象被称为向错(disclination)现象。图2为现有技术中双畴像素区域的向错现象示意图，在图2中示出了现有的双畴像素区域的向错现象，如图2所示，两个畴区交界处具有一定面积的黑区(向错区域)。通常，为了保证像素开口率及像素穿透率，一般会利用无树脂挡光层或金属不透光层对两个畴区的交界处进行遮挡，这就使得两个畴区的交界区域的黑态亮度提高，但对白态无贡献，从而导致液晶显示器的对比度偏低。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供一种显示面板和显示装置，以提高显示面板及显示装置的对比度，改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：第一方面，本申请提供一种显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有黑矩阵，所述第一基板上设置有沿第一方向延伸并在第二方向重复排布的多条栅极线以及沿第二方向延伸并在第一方向重复排布的多条数据信号线，所述多条栅极线和所述多条数据信号线交叉限定多个子像素区域，所述第一方向和所述第二方向交叉；位于所述子像素区域内的第一电极，所述第一电极包括第一子电极、第二子电极和位于第一子电极和第二子电极之间的第三子电极，所述第三子电极包括相互连接的第一边和第二边，所述第一边和所述第二边的延伸方向的夹角小于180度，所述第一边与所述第一子电极连接，所述第二边与所述第二子电极连接；所述子像素区域包括沿所述第二方向依次设置的第一畴区、畴边界区和第二畴区，所述第一子电极位于所述第一畴区，所述第三子电极位于所述畴边界区、所述第二子电极位于所述第二畴区，所述畴边界区包括与所述栅极线平行的第一边界和第二边界，所述畴边界区的宽度为A，所述畴边界区的宽度A为所述第一边界与所述第二边界之间的距离；所述黑矩阵包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵在所述第一基板所在平面的正投影与所述畴边界区交叠，所述第一黑矩阵包括与所述栅极线平行的第三边界和第四边界，所述第一黑矩阵的宽度为B，所述第一黑矩阵的宽度B为所述第三边界和所述第四边界之间的距离，B1≤B≤B2，其中，B1＝-1.48+0.95A，B2＝-3.04+1.28A。第二方面，本申请提供一种显示装置，包括显示面板，该显示面板为本申请实施例所提供的显示面板。与现有技术相比，本申请所述的显示面板及显示装置，达到了如下效果：本申请所提供的显示面板及显示装置，子像素区域包括第一畴区、第二畴区和位于第一畴区和第二畴区之间的畴边界区，黑矩阵包括在第一基板所在平面的正投影与畴边界区交叠的第一黑矩阵，其中畴边界区的宽度A和第一黑矩阵的宽度B之间的关系满足B1≤B≤B2，其中，B1＝-1.48+0.95A，B2＝-3.04+1.28A，此种设计根据黑矩阵宽度B的变化对显示对比度提高的贡献变化率的影响分析，在对穿透率影响较小的前提下使得显示面板和显示装置的对比度得到提升，有利于改善双畴结构显示面板和显示装置的显示性能。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1所示为现有的液晶显示器的双畴像素区域的结构示意图；图2为现有技术中双畴像素区域的向错现象示意图；图3所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图；图4所示为图3所提供的显示面板的A-A截面图；图5所示为图3所提供的显示面板的B-B截面图；图6所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的一种构成示意图；图7所示为本申请实施例所提供的子像素区域70中第三子电极的放大图；图8所示为第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图；图9所示为将黑矩阵投影到3*3个子像素区域的结构示意图；图10所示为第一黑矩阵宽度与显示面板的对比度提升率、开口率变化率和透过率变化率之间的对应关系图；图11所示为本申请实施例中子像素区域进行显示时的效果模拟图；图12所示为本申请实施例所提供的显示面板中子像素区域的另一种构成示意图；图13所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种电路结构图；图14所示为本申请实施例所提供的第一黑矩阵的一种结构示意图；图15所示为将图14所示的第一黑矩阵投影到子像素区域的结构示意图；图16所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图。具体实施方式如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。本申请提供一种显示面板，以下通过图3和图4对本申请实施例所提供的显示面板的基本构成做简要说明。图3所示为本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有黑矩阵，所述第一基板上设置有沿第一方向延伸并在第二方向重复排布的多条栅极线以及沿第二方向延伸并在第一方向重复排布的多条数据信号线，所述多条栅极线和所述多条数据信号线交叉限定多个子像素区域，所述第一方向和所述第二方向交叉；位于所述子像素区域内的第一电极，所述第一电极包括第一子电极、第二子电极和位于第一子电极和第二子电极之间的第三子电极，所述第三子电极包括相互连接的第一边和第二边，所述第一边和所述第二边的延伸方向的夹角小于180度，所述第一边与所述第一子电极连接，所述第二边与所述第二子电极连接；所述子像素区域包括沿所述第二方向依次设置的第一畴区、畴边界区和第二畴区，所述第一子电极位于所述第一畴区，所述第三子电极位于所述畴边界区、所述第二子电极位于所述第二畴区，所述畴边界区包括与所述栅极线平行的第一边界和第二边界，所述畴边界区的宽度为A，所述畴边界区的宽度A为所述第一边界与所述第二边界之间的距离；所述黑矩阵包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵在所述第一基板所在平面的正投影与所述畴边界区交叠，所述第一黑矩阵包括与所述栅极线平行的第三边界和第四边界，所述第一黑矩阵的宽度为B，所述第一黑矩阵的宽度B为所述第三边界和所述第四边界之间的距离，B1≤B≤B2，其中，B1＝‑1.48+0.95A，B2＝‑3.04+1.28A。...

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有黑矩阵，所述第一基板上设置有沿第一方向延伸并在第二方向重复排布的多条栅极线以及沿第二方向延伸并在第一方向重复排布的多条数据信号线，所述多条栅极线和所述多条数据信号线交叉限定多个子像素区域，所述第一方向和所述第二方向交叉；位于所述子像素区域内的第一电极，所述第一电极包括第一子电极、第二子电极和位于第一子电极和第二子电极之间的第三子电极，所述第三子电极包括相互连接的第一边和第二边，所述第一边和所述第二边的延伸方向的夹角小于180度，所述第一边与所述第一子电极连接，所述第二边与所述第二子电极连接；所述子像素区域包括沿所述第二方向依次设置的第一畴区、畴边界区和第二畴区，所述第一子电极位于所述第一畴区，所述第三子电极位于所述畴边界区、所述第二子电极位于所述第二畴区，所述畴边界区包括与所述栅极线平行的第一边界和第二边界，所述畴边界区的宽度为A，所述畴边界区的宽度A为所述第一边界与所述第二边界之间的距离；所述黑矩阵包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵在所述第一基板所在平面的正投影与所述畴边界区交叠，所述第一黑矩阵包括与所述栅极线平行的第三边界和第四边界，所述第一黑矩阵的宽度为B，所述第一黑矩阵的宽度B为所述第三边界和所述第四边界之间的距离，B1≤B≤B2，其中，B1＝-1.48+0.95A，B2＝-3.04+1.28A。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述畴边界区的宽度5um≤A≤14um。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一边和所述第二边的延伸方向的夹角为θ，120°≤θ≤140°。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三子电极中所述第一边和所述第二边的长度相等且均为L，所述第一边和所述第二边的角平分线的延伸方向为所述第一方向，A＝2L*sin(θ/2)。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁翠翠，张兵，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31