一种显示设备、显示基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种显示设备、显示基板及其制作方法，该显示基板包括半导体有源层，该半导体有源层包括第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且第一半导体氧化层位于第二半导体氧化层与衬底基板之间，第一半导体氧化层的导电率低于第二半导体氧化层的导电率，第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。本发明专利技术可减少一次光刻工艺，也使得在蚀刻源漏极金属层时，半导体有源层不会受到损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种显示设备、显示基板及其制作方法
本专利技术涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种显示设备、显示基板及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，其尺寸、和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。目前世界上最大的液晶电视已经超过100英寸。随着TFTL-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，采用了更高频率的驱动电路，图像信号的延迟变的更为严重，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。本申请的专利技术人在长期研发中发现，在制作阵列基板的过程中，需要在栅极绝缘层上制作半导体有源层，然后在半导体有源层上形成源漏极。然而，在制作源漏极的时候很容易会损伤半导体有源层，为了避免半导体有源层受到损伤，现有技术的做法是先在半导体有源层上先制作一层蚀刻阻挡层(即保护层)，然后再沉积制作源漏极的金属层，这样一来就增加了一次光刻工艺，大大地影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术主要提供一种显示设备、显示基板及其制作方法，以解决现有技术中需要先在半导体有源层上制作一层金属蚀刻阻挡层(即保护层)再沉积制作源漏极的金属层，进而影响生产效率的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一技术方案如下：一种显示基板的制作方法，其包括：在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层；在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层；在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一技术方案如下：一种显示基板，其特征在于，包括:设于衬底基板一侧上的半导体有源层，所述半导体有源层包括相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且所述第一半导体氧化层位于所述第二半导体氧化层与所述衬底基板之间；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层以使其不受损伤。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一技术方案如下：一种显示设备，其包括上述的显示基板。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过在衬底基板一侧上依次设置相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层所组成的半导体有源层，且所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，使得所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层以使其不受损伤，比现有技术的方案减少了一次光刻工艺，并且不会影响生产效率。附图说明图1是本专利技术的显示基板一实施方式的部分剖面结构示意图，或显示基板的制作方法一实施方式的形成钝化层与像素电极层后的部分剖面结构示意图；图2是本专利技术的显示基板一实施方式的俯视图；图3是本专利技术的显示设备一实施方式的部分剖面结构示意图；图4是本专利技术的显示基板的制作方法一实施方式的部分实施步骤流程图。图5是本专利技术的显示基板的制作方法一实施方式的形成第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层后的部分剖面结构示意图；图6是本专利技术的显示基板的制作方法一实施方式的形成第一半导体氧化层与第二半导体氧化层后的部分剖面结构示意图；图7是本专利技术的显示基板的制作方法一实施方式的形成栅极绝缘层后的部分剖面结构示意图。具体实施方式实施例一请参阅图1和图2，图1是本实施例的显示基板100的部分剖面结构示意图，图2是本实施例的显示基板100一实施方式的俯视图，其中图1为图2中的从A-B切线处切开后的正视图，图2中的栅极线30和栅极11相连接，数据线40和源极17相连接，像素电极20和漏极18相连接,源极17和漏极18中间由钝化层19隔开。本专利技术实施方式所提供的一种显示基板100包括:设于衬底基板10一侧上的栅极11和栅极绝缘层12，设于栅极绝缘层12上的半导体有源层(未标识)，所述半导体有源层包括相互层叠的第一半导体氧化层13与第二半导体氧化层14，且所述第一半导体氧化层13位于所述第二半导体氧化层14与所述衬底基板10之间。其中，相对地，所述第一半导体氧化层13为低导电率氧化层，所述第二半导体氧化层14为高导电率氧化层，即所述第一半导体氧化层13的导电率低于所述第二半导体氧化层14的导电率，所述第二半导体氧化层14可在蚀刻源极17和漏极18金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层13以使其不受损伤。在本实施例中，可选所述第一半导体氧化层13与所述第二半导体氧化层14均为金属氧化层薄膜，且所述第一半导体氧化层13的氧元素含量低于所述第二半导体氧化层14的氧元素含量。在本实施例中，所述第一半导体氧化层13与所述第二半导体氧化层14的厚度范围均为50～2000A，可选为100A、500A、1000A、1500A或1800A。在本实施例中，所述第二半导体氧化层14的远离所述衬底基板10的一侧上设有蚀刻阻挡层(未标识)，所述蚀刻阻挡层包括相互层叠的第一蚀刻阻挡层15与第二蚀刻阻挡层16，且所述第一蚀刻阻挡层15位于所述第二蚀刻阻挡层16和所述第二半导体氧化层14之间。其中，所述第一蚀刻阻挡层15可防止所述半导体有源层的氧元素扩散至其外部，避免所述半导体有源层失氧。在本实施例中，所述第一蚀刻阻挡层15的材料为氮化钛，所述第二蚀刻阻挡层16的材料为钛金属或钛合金。在本实施例中，所述第一蚀刻阻挡层15的厚度范围为20～500A，可选为30A、100A、200A、300A、400A或450A。所述第二蚀刻阻挡层16的厚度范围为100～500A，可选为200A、300A、350A或400A。在本实施例中，在第二蚀刻阻挡层16上还设置有源极17、漏极18、钝化层19和像素电极20，其中源极17和漏极18设置在第二蚀刻阻挡层16远离衬底基板10的一面上，并且处于同一层。其中钝化层19覆盖源极17和漏极18，并且穿过源极17、漏极18、第二蚀刻阻挡层16、第一蚀刻阻挡层15和第二半导体氧化层14，与第一半导体氧化层13接触。本专利技术通过在衬底基板10一侧上依次设置相互层叠的第一半导体氧化层13与第二半导体氧化层14所组成的半导体有源层，且所述第一半导体氧化层13的导电率低于所述第二半导体氧化层14的导电率，使得所述第二半导体氧化层14可在蚀刻源极17和漏极18金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层13以使其不受损伤，比现有技术的方案减少了一次光刻工艺，并且不会影响生产效率。另外，本专利技术通过在第二半导体氧化层14上设置相互层叠的第一蚀刻阻挡层15与第二蚀刻阻挡层16，且所述第一蚀刻阻挡层15位于所述第二蚀刻阻挡层16和所述第二半导体氧化层14之间,其中所述第一蚀刻阻挡层15可防止所述半导体有源层的氧元素扩散至其外部，避免所述半导体有源层失氧，可以很好地保护所述半导体有源层的氧元素的平衡。最后，由于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层；在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层；在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层；在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层；在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，进一步包括：在所述第二半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置相互层叠的第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层，且所述第一蚀刻阻挡层位于所述第二蚀刻阻挡层和所述第二半导体氧化层之间；其中，所述第一蚀刻阻挡层可防止所述半导体有源层的氧元素扩散至其外部，避免所述半导体有源层失氧。3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层的材料为氮化钛，所述第二蚀刻阻挡层的材料为钛金属或钛合金。4.一种显示基板，其特征在于，包括:设于衬底基板一侧上的半导体有源层，所述半导体有源层包括相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且所述第一半导体氧化层位于所述第二半导体氧化层与所述衬底基板之间；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44