埋入式字符线的制作方法技术

本发明专利技术公开一种埋入式字符线的制作方法，首先，提供一基底，基底中包含有多个浅沟隔离，接着形成多个第一图案化材料层，位于该基底上方，其中任两相邻的第一图案化材料层之间包含有一第一凹槽，然后形成至少一第二图案化材料层，位于该第一凹槽内，以及通过各该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层为一掩模层，进行一第一蚀刻步骤，至少于该浅沟隔离以及该基底中形成多个第二凹槽。

【技术实现步骤摘要】
埋入式字符线的制作方法
本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种埋入式字符线的制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)属于一种挥发性存储器，其是由多个存储单元构成。每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字符线(wordline,WL)与位元线(bitline,BL)彼此电连接。为提高动态随机存取存储器(DRAM)的密集度以加快元件的操作速度，以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，动态随机存取存储器(DRAM)中的晶体管沟道区长度会有持续缩短的趋势。但是，如此一来会使晶体管遭受严重的短通道效应(shortchanneleffect),以及导通电流(oncurrent)下降等问题。因此，为了克服上述问题，近年来业界提出将水平方向的晶体管结构改为垂直方向的晶体管结构，举例来说，将垂直式晶体管结构形成于基底的深沟槽中。如此一来，可以提升集成电路的操作速度与密集度，且能避免短沟道效应等问题。然而，目前一般的垂直式晶体管在结构设计与沟道控制上仍有很大的改良空间，为此领域所积极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋入式字符线的制作方法，包含:提供一基底，基底中包含有多个浅沟隔离；形成多个第一图案化材料层，位于该基底上方，其中任两相邻的第一图案化材料层之间包含有一第一凹槽；形成至少一第二图案化材料层，位于该第一凹槽内；以及以各该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层为一掩模层，进行一第一蚀刻步骤，至少于该浅沟隔离以及该基底中形成多个第二凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种埋入式字符线的制作方法，包含:提供一基底，基底中包含有多个浅沟隔离；形成多个第一图案化材料层，位于该基底上方，其中任两相邻的第一图案化材料层之间包含有一第一凹槽；形成至少一第二图案化材料层，位于该第一凹槽内；以及以各该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层为一掩模层，进行一第一蚀刻步骤，至少于该浅沟隔离以及该基底中形成多个第二凹槽。2.如权利要求1所述的制作方法，还包含形成一第一氧化层于该第一图案化材料层以及该基底之间。3.如权利要求2所述的制作方法，还包含形成一第二氧化层，该第二氧化层位于该第一凹槽内，并且至少覆盖各该第一图案化材料层的两侧壁。4.如权利要求3所述的制作方法，其中部分该第二氧化层位于该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层之间。5.如权利要求3所述的制作方法，其中形成该第二图案化材料层之后，还包含进行一第二蚀刻步骤，移除部分该第一氧化层以及部分该第二氧化层，其中剩余的该第一氧化层以及剩余的该第二氧化层定义为多个氧化掩模。6.如权利要求5所述的制作方法，其中各该氧化掩模位于各该第一图案化材料层与该基底之间，或位于该第二图案化材料层与该基底之间。7.如权利要求5所述的制作方法，其中该多个氧化掩模至少包含有两种不同厚度。8.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立强，李甫哲，郭明峰，陈界得，朱贤士，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71