像素电路和提取电路参数并提供像素内补偿的方法技术
【技术实现步骤摘要】
像素电路和提取电路参数并提供像素内补偿的方法本申请是申请日为2014年12月5日、专利技术名称为“像素电路和提取电路参数并提供像素内补偿的方法”的申请号为201480074742.7的专利申请的分案申请。
本专利技术一般涉及有源矩阵有机发光器件(AMOLED)显示器，并具体地涉及提取这类显示器中的像素电路和发光装置的参数。
技术介绍
相对于常规液晶显示器，有源矩阵有机发光器件(“AMOLED”)显示器的优点包括较低功率消耗、制造灵活以及较快的刷新速率。与常规液晶显示器相比，在AMOLED显示器中没有背光，且因而每个像素由独立发光的不同颜色的OLED组成。OLED基于通过受编程电压控制的驱动晶体管供应的电流来发光。每个像素中消耗的功率与该像素中产生的光的大小有关系。基于OLED的像素中的输出质量受驱动晶体管和OLED本身的性能影响，其中驱动晶体管通常由包括但不限于非晶硅、多晶硅或金属氧化物的材料制成。具体地，驱动晶体管的阈值电压和迁移率趋于随着像素老化而发生变化。为了保持图像质量，必须通过调整编程电压来对这些参数的变化进行补偿。为此，必须从驱动电路提取出这类参数。用...
【技术保护点】
一种从像素电路提取电路参数并对所述像素电路的变化或老化提供像素内补偿的方法，所述像素电路包括发光装置、用于将可编程驱动电流提供至所述发光装置的驱动晶体管、编程输入端以及用于存储编程信号的存储装置，所述方法包括以下步骤：通过下述步骤导致所述像素电路的像素内补偿：将参考电压从第一线施加至所述存储装置以基于所述参考电压对所述存储装置进行充电，并且使电流从第一节点向第二线转向，以消除不期望的发光，从而对所述驱动晶体管和所述发光装置中的至少一者的变化或老化进行自补偿，所述第一节点位于所述驱动晶体管和所述发光装置之间，和使用所述像素电路外部的电路从所述像素电路提取所述电路参数；以及随后...
【技术特征摘要】
2013.12.05 US 61/912,352;2013.12.06 US 61/913,002;1.一种从像素电路提取电路参数并对所述像素电路的变化或老化提供像素内补偿的方法，所述像素电路包括发光装置、用于将可编程驱动电流提供至所述发光装置的驱动晶体管、编程输入端以及用于存储编程信号的存储装置，所述方法包括以下步骤：通过下述步骤导致所述像素电路的像素内补偿：将参考电压从第一线施加至所述存储装置以基于所述参考电压对所述存储装置进行充电，并且使电流从第一节点向第二线转向，以消除不期望的发光，从而对所述驱动晶体管和所述发光装置中的至少一者的变化或老化进行自补偿，所述第一节点位于所述驱动晶体管和所述发光装置之间，和使用所述像素电路外部的电路从所述像素电路提取所述电路参数；以及随后，使用已经基于提取的所述电路参数进行补偿后的编程信息驱动所述像素电路。2.如权利要求1所述的方法，其中，提取所述电路参数包括读取所述驱动晶体管和所述发光装置中的至少一者的电压或电流。3.如权利要求1所述的方法，其中，提取所述电路参数包括读取所述驱动晶体管的电压或电流，其中，连接至用以读取所述驱动晶体管的所述电压或电流的第二节点的监控线的电压被维持在足够低的量上，以使所述发光装置保持截止。4.如权利要求1所述的方法，其中，提取所述电路参数包括读取所述发光装置的电压或电流，其中，施加到所述驱动晶体管的栅极的电压被维持在足够高的量上，以使所述驱动晶体管用作能够通过连接至第二节点的监控线读取所述发光装置的所述电压或电流的开关。5.如权利要求1所述的方法，其中，提取所述电路参数包括通过所述第二线读取所述驱动晶体管和所述发光装置中的至少一者的电压或电流。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储装置包括电容器，并且被连接在所述驱动晶体管的栅极和第一端子之间。7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，通过将与所述驱动晶体管的第一端子连接的第二节点充电至所述参考电压并经由所述驱动晶体管放电至所述第一节点以在所述存储装置中存储表示所述驱动晶体管的阈值电压的电荷，所述像素电路内部地补偿所述驱动晶体管的所述阈值电压的变化。8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，导致所述像素电路的所述像素内补偿还包括将编程电压提供至所述存储装置，使得所述编程电压的至...
【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔拉玛瑞扎·恰吉，
申请(专利权)人：伊格尼斯创新公司，
类型：发明
国别省市：加拿大,CA
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