一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法技术
Activation method for perovskite strontium niobium nitrogen oxide semiconductor photocatalyst
Annealing of inert atmosphere for perovskite strontium niobium oxide semiconductor SrNbO2N significantly improves its photocatalytic activity. In this method, the inert atmosphere annealing makes the SrNbO2N low semiconductor donor concentration improved to a certain extent, promoting the separation of photoelectron and hole, thus improving the photocatalytic efficiency, and the activity of photocatalytic oxygen production can be increased by 10 times.
【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法
本专利技术涉及一种光催化剂所用钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体的活化方法。
技术介绍
SrNbO2N是一种具有钙钛矿型晶体结构的金属氮氧化物半导体。其禁带宽度为1.8eV左右，吸收边约为690nm，具有较宽范围可见光响应(ChemSusChem,2011,4,74–78)。SrNbO2N作为吸光活性半导体材料，受光激发产生电子和空穴，可以用于驱动水的氧化产氧和还原产氢等化学反应(ChemSusChem,2011,4,74–78；MaterialsLetters,2015,152,131–134)。在光催化、光电催化等方式进行吸收转化太阳能应用方面，具有十分诱人的潜在应用。本征的SrNbO2N半导体载流子浓度低，光生电子和空穴不能很好地分离。本专利技术提出采用惰性气氛退火的方法使得SrNbO2N中形成阴离子空位，作为半导体电子施主，提高载流子浓度，从而促进光生电子和空穴的分离。没有检索到关于此种SrNbO2N光催化剂活化方法的文献报道或专利。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法。本...
【技术保护点】
一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法，其特征在于：钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体在惰性气氛中退火处理，提高半导体光催化剂活性。
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法，其特征在于：钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体在惰性气氛中退火处理，提高半导体光催化剂活性。2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：惰性气氛退火处理所用惰性气体为Ar或N2中的一种或二种。3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：惰性气氛退火处理温度为550-950℃；升温速率为1-1000℃/分钟；所述保温时间为1-120分钟；降温速率为1-1000℃/分钟；优选条件为：惰性气氛退火处理温度为650-750℃；升温速率为5-10℃/分...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨明辉，李悦，熊锋强，万里鹏，焦雨桐，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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