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采用惰性气氛退火处理钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体SrNbO2N，显著提高其光催化活性。本方法中，惰性气氛退火使得SrNbO2N很低的半导体施主浓度得到一定程度上提高，促进光生电子和空穴的分离，从而提高光催化效率，光催化产氧活性可提高10倍。...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。

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