【技术实现步骤摘要】
一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器
本专利技术实施例涉及一种压电器件的制造领域,尤其涉及一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器。
技术介绍
压电谐振器包括薄膜体声波谐振器(FBAR)又称为压电薄膜体声波谐振器,其中压电薄膜体声波谐振器具有工作频率高,插损小,带外抑制陡峭度高、耐受功率高、体积小等众多优点,可以满足通信、雷达等电子系统的需求。现有技术中的压电谐振器通常包括两个薄膜电极,并且电极之间填充有一层薄膜压电材料。通常情况下将压电谐振器制造完毕后,需要将压电谐振器下的东西移走,形成一个空腔。现有技术中在衬底上先形成一个凹陷的坑,再通过刻蚀技术在该凹坑内填充牺牲材料,通过化学机械抛光技术(CMP)使得凹坑被填平;之后再该衬底和该牺牲材料上方通过刻蚀技术制造该压电谐振器;在该压电谐振器上与该牺牲材料对应的地方设置若干通孔,通孔贯穿该谐振器;通过化学药剂释放该牺牲层材料,使得该牺牲层消除,从而实现该压电谐振器悬空的目的。上述方法中存在许多缺点,释放牺牲材料过程中极易造成压电谐振器的相关薄膜破裂;此外,如果牺牲层释放并不干净,有杂质残留的现象,这会恶化谐振器的Q值,使 ...
【技术保护点】
一种压电谐振器的制备方法,其特征在于,包括:在第一衬底上生长材料层;在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽;将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔;将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。
【技术特征摘要】
1.一种压电谐振器的制备方法,其特征在于,包括:在第一衬底上生长材料层;在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽;将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔;将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。2.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法,其特征在于,所述空腔的形成方法为,首先在所述第二衬底上刻蚀出凹槽,再将材料层覆盖于所述凹槽上形成所述空腔。3.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法,其特征在于,所述材料层包括第一电极和压电层。4.根据权利要求3所述的压电谐振器的制备方法,其特征在于,所述压电层通过在所述第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到;所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极;将所述第一衬底和所述压电层剥离,露出所述压电层;在所述压电层上远离所述第一电极的一侧溅...
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