MWT与HIT结合的太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MWT与HIT结合的太阳能电池及其制备方法，MWT与HIT结合的太阳能电池为多层结构体，其特征在于，从正面往下依次为：正面金属电极、透明导电氧化层、p型非晶硅、本征非晶硅、n型晶体硅基体、本征非晶硅、n型非晶硅、透明导电氧化层和背面金属电极；所述多层结构体上设有贯穿孔，贯穿孔内填有灌孔金属电极，所述灌孔金属电极的顶部覆盖有正面金属电极，底部与相同成分的背面金属电极相连。本发明专利技术为量产高效硅太阳能电池提供了一种新的结构以及制备方法，此方法的适用性强，使用价值高。

【技术实现步骤摘要】
MWT与HIT结合的太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及一种MWT与HIT结合的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池及制备方法

技术介绍
太阳能电池是一种可将光能转化成电能的半导体器件，光伏发电产业在经历了技术和资本的淘汰之后，逐渐朝着高效和低成本的方向发展。对于目前的常规太阳能电池，正、负电极分别位于电池片的正反两面。由于电池片的正面同时为受光面，处于正面的金属电极主栅线和细栅线会遮挡表面的一部分面积，从而造成一部分入射光损失。普通晶硅太阳能电池正面金属电极大约覆盖5-7％左右的表面积，减少金属电极的面积可以直接提高电池的能量转化效率。MWT(MetalWrapThrough)是一种能有效降低正面金属遮挡面积的高效背接触太阳能电池结构。其通过贯穿电池的孔洞把正面电极连接到背面，进而利用填充孔洞的电极收集来自正面电极的光电流。背接触结构可以完全在电池背面形成组件回路联接，正面不需要焊带收集电流，因此MWT的正面电极不需要主栅，细栅宽度目前已低至30μm，正面电极的覆盖比例降低至3％左右，比常规电池减小了一半。另一种高效太阳能电池使用的是HIT(Heterojunctio本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MWT与HIT结合的太阳能电池，为多层结构体，其特征在于，从正面往下依次为：正面金属电极、透明导电氧化层（TCO）、p型非晶硅（(p)a‑Si）、本征非晶硅（(i)a‑Si）、n型晶体硅基体（(n)c‑Si）、本征非晶硅（(i)a‑Si）、n型非晶硅（(n)a‑Si）、透明导电氧化层（TCO）和背面金属电极；所述多层结构体上设有贯穿孔，贯穿孔内填有灌孔金属电极，所述灌孔金属电极的顶部覆盖有正面金属电极，底部与相同成分的背面金属电极相连。

【技术特征摘要】
1.一种MWT与HIT结合的太阳能电池，为多层结构体，其特征在于，从正面往下依次为：正面金属电极、透明导电氧化层（TCO）、p型非晶硅（(p)a-Si）、本征非晶硅（(i)a-Si）、n型晶体硅基体（(n)c-Si）、本征非晶硅（(i)a-Si）、n型非晶硅（(n)a-Si）、透明导电氧化层（TCO）和背面金属电极；所述多层结构体上设有贯穿孔，贯穿孔内填有灌孔金属电极，所述灌孔金属电极的顶部覆盖有正面金属电极，底部与相同成分的背面金属电极相连。2.如权利要求1所述的MWT与HIT结合的太阳能电池，其特征在于，所述n型晶体硅基体厚度为80-180μm。3.如权利要求1所述的MWT与HIT结合的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化层（TCO）为铟掺杂氧化锡（ITO），或者氟掺杂氧化锡（FTO），或者铝掺杂氧化锌（AZO），厚度为0.1-1μm。4.如权利要求1所述的MWT与HIT结合的太阳能电池，其特征在于，所述p型非晶硅、本征非晶硅、n型非晶硅的厚度分别为5-15nm。5.如权利要求1-4任意一项所述的MWT与HIT结合的硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）晶体硅清洗、制绒；2）晶体硅基体的正、反两面各沉积一层本征非晶硅；3）正面沉积一层p型非晶硅；4）背面覆盖一层圆形图案的掩膜，整...

【专利技术属性】
技术研发人员：逯好峰，吴仕梁，路忠林，李质磊，盛雯婷，张凤鸣，
申请(专利权)人：南京日托光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32