光电转换元件制造技术

光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件
本申请对2015年8月31日申请的日本特愿2015-170647号，主张优先权，并通过参照将其全部内容包括于本文件中。本专利技术涉及光电转换元件。
技术介绍
近年来，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳能电池作为下一代能源的期待急剧提高。其中，现在制造以及销售最多的太阳能电池是在太阳光入射一侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成电极的结构的太阳能电池。然而，在受光面形成了电极的情况下，由于有电极的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的减少量相应于电极的面积的量。因此，正在推进只在背面形成了电极的背结型太阳能电池的开发(例如，参照专利文献1)。图15中，示出在专利文献1中记载的以往的背结型太阳能电池的示意性的截面图。如图15所示的背结型太阳能电池具有如下的结构：在具有n型或p型的导电型的晶体半导体基板111的受光面上，依次层叠有i型非晶态半导体层117i、n型非晶态半导体层117n及绝缘层116。在晶体半导体基板111的背面形成有IN层叠体112，IN层叠体112在晶体半导体基板111上具有依次层叠有i型非晶态半导体层112i及n型非晶态半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换元件，其特征在于，包括：n型的半导体基板；所述半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜；所述半导体基板的所述第一面侧的n型非晶态半导体膜；所述p型非晶态半导体膜上的p电极；以及所述n型非晶态半导体膜上的n电极，所述p电极位于被配置在所述半导体基板的第一面侧及侧面上的所述p型非晶态半导体膜上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.31 JP 2015-1706471.一种光电转换元件，其特征在于，包括：n型的半导体基板；所述半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜；所述半导体基板的所述第一面侧的n型非晶态半导体膜；所述p型非晶态半导体膜上的p电极；以及所述n型非晶态半导体膜上的n电极，所述p电极位于被配置在所述半导体基板的第一面侧及侧面上的所述p型非晶态半导体膜上。2.如权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野直城，小林正道，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP