一种阵列基板、显示面板及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板，含有其的显示面板与电子设备，具有基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括：栅极，栅极绝缘层，有源层，阻挡层，源极，漏极，以及第一凹槽，位于第二有源区靠近第一有源区的一侧。通过上述设计，可以很大程度地减小薄膜晶体管在截止状态时的电子迁移路径，提升TFT器件和显示面板的性能，节约能耗，并能够有效增加电子设备的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及电子设备
本专利技术涉及半导体显示领域，特别是涉及一种阵列基板，含有其的显示面板与电子设备。
技术介绍
人的感觉器官中接受信息最多的是视觉器官(眼睛)，在生产和生活中，人们需要越来越多地利用丰富的视觉信息，因而显示技术在当今人类社会中扮演着非常重要的角色。显示技术自出现至今，技术发展也非常迅猛，先后出现了阴极射线管技术(CRT)、等离子体显示(PDP)、液晶显示(LCD)，乃至最新的OLED显示、microLED显示技术。随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高，当今显示技术正在朝着高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进。IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在显示面板中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。现有技术中，如何在TFT截止状态有效地减小漏电流，是业内面临的重要难题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板，含有其的显示面板与电子设备。本专利技术的第一方面提供了一种阵列基板，包括基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，第一方向垂直于第二方向，其中第一薄膜晶体管包括：栅极，位于基底的一侧；栅极绝缘层，位于栅极远离基底的一侧；有源层，位于栅极绝缘层远离基底的一侧，在第一方向上，有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；阻挡层，位于有源层远离基底的一侧，阻挡层在有源层上的垂直投影覆盖第二有源区；源极，至少覆盖第一有源区，且与第一有源区电连接；漏极，至少覆盖第三有源区，且与第三有源区电连接；第一凹槽，位于第二有源区靠近第一有源区的一侧。本专利技术第二方面提供了一种包含上述阵列基板的显示面板。本专利技术第三方面还提供了一种包含上述的显示面板的电子设备。本专利技术提供的阵列基板，含有其的显示面板与电子设备，具有基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，第一方向垂直于第二方向，其中第一薄膜晶体管包括：栅极，位于基底的一侧；栅极绝缘层，位于栅极远离基底的一侧；有源层，位于栅极绝缘层远离基底的一侧，在第一方向上，有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；阻挡层，位于有源层远离基底的一侧，阻挡层在有源层上的垂直投影覆盖第二有源区；源极，至少覆盖第一有源区，且与第一有源区电连接；漏极，至少覆盖第三有源区，且与第三有源区电连接；第一凹槽，位于第二有源区靠近第一有源区的一侧。通过上述设计，可以很大程度地减小薄膜晶体管在截止状态时的电子迁移路径，使得有源层中泄漏电流的情况得到很好地抑制，从而极大地降低TFT中的漏电流，提升TFT器件和显示面板的性能，节约能耗，并能够有效增加电子设备的使用寿命。附图说明图1是本申请一个实施例所提供的阵列基板示意图；图2是沿图1中AA’方向的截面图；图3是本申请另一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；图4是沿图3中BB’方向的截面图；图5是本申请一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管有源层结构的俯视图；图6是本申请又一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；图7是沿图6中CC’方向的截面图；图8是本申请再一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；图9是本申请又一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；图10是本申请一个实施例提供的显示面板的示意图；图11是本申请一个实施例提供的电子设备的示意图；图12是本申请一个实施例提供的制备方法流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。同时，附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书的同样的附图标记表示同样的元件。另外，出于理解和易于描述，附图中可能夸大了一些层、膜、面板、区域等的厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其它元件上或者也可以存在中间元件。另外，“在……上”是指将元件定位在另一元件上或者在另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。为了便于理解，本专利技术附图中都是将元件画在另一元件的上侧。另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变形将被理解为暗示包含该元件，但不排除任意其它元件。还需要说明的是，本专利技术实施例中提到的“和/或”是指”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。本专利技术实施例中用“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。并且，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。当可以不同地实施某个实施例时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上在同一时间执行或者按与所描述顺序相反的顺序来执行。首先请参考图1和图2，本申请一个实施例提供的阵列基板100，具有基底01以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向X和第二方向Y，第一方向X垂直于第二方向Y，其中第一薄膜晶体管包括：栅极02，位于基底01的一侧；栅极绝缘层03，位于栅极02远离基底01的一侧；有源层04，位于栅极绝缘层03远离基底01的一侧，在第一方向X上，有源层04依次分为第一有源区041，第二有源区042和第三有源区043；阻挡层05，位于有源层04远离基底01的一侧，阻挡层05在有源层04上的垂直投影覆盖第二有源区042；源极06，至少覆盖第一有源区041，且与第一有源区041电连接；漏极07，至少覆盖第三有源区043，且与第三有源区043电连接；第一凹槽11，位于第二有源区042靠近第一有源区041的一侧。需要说明的是，本申请上述实施例的基底01可以是柔性基底，也可以是刚性基底。有源层04指的是薄膜晶体管的半导体层，其组成材料可以是非晶硅，低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体(如IGZO、ZnO等)或者有机半导体等可作为薄膜晶体管活性层的半导体材料。阻挡层至少覆盖于有源层的沟道区，并位于有源层和源漏极金属层之间，可以在后续源漏极金属层的刻蚀过程中对半导体层起到保护作用，防止刻蚀液对半导体层的损伤。阻挡层的材料可以是氧化硅，氮化硅，或氮氧化硅等无机材料。在本申请实施例中，有源层04为氧化物半导体层，阻挡层05为刻蚀阻挡层，其至少覆盖氧化物半导体层的沟道区，防止后续金属层的刻蚀对半导体沟道产生破坏。此外，如图1和图2中所示，本申请中有源层04分为第一有源区041，第二有源区042和第三有源区043，本申请所指的第一有源区041，第二有源区042和第三有源区043可以是各自指代有源层04的相应区域，各自代表的是有源层04的一部分。还需指出，阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，所述第一方向垂直于所述第二方向，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：栅极，位于所述基底的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极远离所述基底的一侧；有源层，位于所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧，在第一方向上，所述有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；阻挡层，位于所述有源层远离所述基底的一侧，所述阻挡层在所述有源层上的垂直投影覆盖所述第二有源区；源极，至少覆盖所述第一有源区，且与所述第一有源区电连接；漏极，至少覆盖所述第三有源区，且与所述第三有源区电连接；第一凹槽，位于所述第二有源区靠近所述第一有源区的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，所述第一方向垂直于所述第二方向，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：栅极，位于所述基底的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极远离所述基底的一侧；有源层，位于所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧，在第一方向上，所述有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；阻挡层，位于所述有源层远离所述基底的一侧，所述阻挡层在所述有源层上的垂直投影覆盖所述第二有源区；源极，至少覆盖所述第一有源区，且与所述第一有源区电连接；漏极，至少覆盖所述第三有源区，且与所述第三有源区电连接；第一凹槽，位于所述第二有源区靠近所述第一有源区的一侧。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一凹槽贯穿所述有源层。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽具有延伸至所述第一有源区的部分。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽沿第一方向的最大宽度为a，其中4μm≤a≤20μm。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽沿第二方向的最大宽度为b，其中2μm≤b≤10μm。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源区在远离所述第二有源区的方向具有第一边界，所述第一凹槽与所述第一边界之间的最大宽度为c，其中2μm≤c≤10μm。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼均辉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31