阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。本发明专利技术还公开了包含如上所述阵列基板的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板以及显示装置
本专利技术涉及显示器
,尤其涉及一种阵列基板，还涉及包含所述阵列基板的显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。GOA(GatedriverOnArray)技术是TFT-LCD中的一种设计，其将LCD面板的栅极驱动电路集成在基板上，以提高LCD面板的集成度，减少了栅极驱动IC的使用率，由此得到广泛运用。而现有技术中的TFT(薄膜晶体管)基板上的GOA存在一些问题，其中发现在GOA电路中经常发生静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)不良，即由于ESD引发GOA电路静电击穿，降低了TFT基板的良品率。为了避免这种由于ESD现象所导致的降低TFT-LCD生产良率的问题，现有技术中一般采用ESD保护结构将制作TFT-LCD的过程中产生的电荷均匀扩散，来避免ESD现象的产生。但是现有技术中采用的ESD保护结构均是在TFT-LCD中的阵列基板制作结束后才形成的，这就使得在阵列基板的制作过程中所产生的电荷不能够被ESD保护结构均匀扩散，即在阵列基板的制作过程中，ESD现象仍然具有较高的发生机率。在阵列基板的制备工艺中，需要在衬底基板上依次制备第一金属层(栅极走线层)、栅极绝缘层、半导体层和第二金属层(源漏极走线层)。对于，采用GOA技术的阵列基板，外围的驱动电路是直接设置在阵列基板上，由于走线空间的限制，外围的驱动电路中的第一金属层中的走线间距较小，而在第一金属层上方采用沉积法成膜和干法刻蚀工艺制备形成图案化的半导体层时，会在半导体层的表面产生并累积光生载流子，这些光生载流子会朝向对应于第一金属层中的走线位置聚集，极易发生ESD现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板，通过对阵列基板的第一金属层中的走线结构进行改进，有效地降低了该阵列基板的制作工艺过程中发生ESD现象的机率。为了实现上述的目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。优选地，对于所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距小于50μm的某一位置，在所述第一金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第一区域，在所述第二金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第二区域，将所述第一区域和所述第二区域之间的面积差异设置为不超过10％。优选地，所述一定长度的取值为100μm以上。优选地，所述一定长度的取值为100μm。优选地，以所述第一区域和所述第二区域中面积较大的为基准区域，所述第一区域和所述第二区域的面积之差不超过所述基准区域的10％。优选地，以所述第一区域和所述第二区域中面积较小的为基准区域，所述第一区域和所述第二区域的面积之差不超过所述基准区域的10％。优选地，所述驱动电路区包括GOA驱动单元和ESD保护单元，所述多条金属走线的其中一部分位于所述GOA驱动单元中，另一部分则位于所述ESD保护单元中；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线是同时位于所述GOA驱动单元中或者同时位于所述ESD保护单元中，或者是，所述第一金属走线和所述第二金属走线的其中之一位于所述GOA驱动单元中，另一个则位于所述ESD保护单元中。优选地，所述驱动电路区还包括依次形成在所述第一金属层上的第一绝缘层、半导体层和第二金属层，所述GOA驱动单元和所述ESD保护单元分别包括薄膜晶体管，所述第一金属层用于图案化形成所述薄膜晶体管的栅极以及栅极走线，所述半导体层用于图案化形成所述薄膜晶体管的有源层，所述第二金属层用于图案化形成所述薄膜晶体管的源漏极以及源漏极走线。优选地，所述半导体层的材料为非晶硅。本专利技术还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例中提供的一种阵列基板，对于第一金属层中包含的相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线，将第一金属走线和第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，将第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％，通过增加金属走线的间距或者减小金属走线的面积差异，可以防止在制备半导体层时由于光生载流子的聚集而发生ESD现象，有效地降低了该阵列基板的制作工艺过程中发生ESD现象的机率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的阵列基板的布局结构示意图；图2是本专利技术实施例中的驱动电路区的截面结构示意图；图3是本专利技术实施例中的驱动电路区中的第一金属层的示例性平面图；图4是如图3中A部分的放大示意图；图5是本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本专利技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本专利技术并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。本实施例提供了一种阵列基板，图1示出了所述阵列基板的布局结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括显示区1和位于所述显示区1周边的驱动电路区2。所述显示区1内包含有阵列设置的薄膜晶体管，每个薄膜晶体管设置有相应的栅极、源漏极、绝缘层和有源层。所述驱动电路区2包括包括GOA驱动单元2a和ESD保护单元2b，所述ESD保护单元2b设置在所述GOA驱动单元2a和所述显示区1之间，所述GOA驱动单元2a主要是用于向所述显示区1提供栅极信号，所述ESD保护单元2b主要是用于排除静电，防止静电对所述GOA驱动单元2a和所述显示区1中的电路造成破坏。所述GOA驱动单元2a和所述ESD保护单元2b也是分别包括薄膜晶体管，每个薄膜晶体管设置有相应的栅极、源漏极、绝缘层和有源层。因此，如图2所示，所述阵列基板中，所述驱动电路区2包括形成在衬底基板20上的第一金属层21，还包括依次形成在所述第一金属层21上的第一绝缘层22、半导体层23和第二金属层24，所述第一金属层21用于图案化形成所述薄膜晶体管(驱动电路区2中的薄膜晶体管)的栅极以及栅极走线，所述半导体层23用于图案化形成所述薄膜晶体管的有源层，所述第二金属层24用于图案化形成所述薄膜晶体管的源漏极以及源漏极走线。也就是说，所述GOA驱动单元2a和所述ESD保护单元2b是通过将所述第一金属层21、第一绝缘层22、半导体层23和第二金属层24进行图形化处理后制备形成的。其中，所述第一金属层21和所述第二金属层24的材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的单层金属层，或者是Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任意两种或两种以上的金属组合构成的复合金属层。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，其特征在于，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，其特征在于，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，对于所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距小于50μm的某一位置，在所述第一金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第一区域，在所述第二金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第二区域，将所述第一区域和所述第二区域之间的面积差异设置为不超过10％。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述一定长度的取值为100μm以上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述一定长度的取值为100μm。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，以所述第一区域和所述第二区域中面积较大的为基准区域，所述第一区域和所述第二区域的面积之差不超过所述基准区域的10％。6.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢剑星，杨一峰，张骢泷，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44