一种单层电容器及制备方法技术

本发明专利技术公开一种单层电容器及制备方法。所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。本发明专利技术提供的单层电容器在增加电容器容量的同时保持电容器良好的机械强度。

【技术实现步骤摘要】
一种单层电容器及制备方法
本专利技术涉及电容器领域，特别是涉及一种单层电容器及制备方法。
技术介绍
目前增加电容器容量的方法主要有以下3种：1、增加陶瓷介质的相对介电参数；2、增加电容器的电极正对面积；3、减小陶瓷介质层的厚度。方法1在提高相对介电常数时往往会牺牲温度稳定性等介电性能，不能满足要求。方法2多采用片式多层陶瓷电容器(Multi-layerCeramicCapacitors，MLCC)工艺来增加电极正对面积，但是所采用的端电极不适合于引线(金丝或金带)键合或嵌入的方式组装。方法3减小陶瓷电容器的厚度，但是由于陶瓷脆性大，过小的厚度将导致器件易碎，组装过程困难，实际应用意义不大。因此，没有一种方法能够同时满足增加电容器的容量的同时保持电容器良好的机械强度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种单层电容器及制备方法，在增加电容器的容量的同时保持电容器良好的机械强度。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：本专利技术提供了一种单层电容器，所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层电容器，其特征在于，所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。

【技术特征摘要】
1.一种单层电容器，其特征在于，所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。2.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述通孔的横截面为圆形。3.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述电极材料为金属。4.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述电极材料为金、铂金、银、银钯、镍和\或铜。5.根据权利要求2所述的单层电容器，其特征在于，所述圆形的直径为0.05～1.0毫米。6.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述第一介质层的厚度为5～30微米，所述第二介质层的厚度为80～200...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁明建，李杰成，杨俊锋，冯毅龙，庄彤，
申请(专利权)人：广州天极电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44