巨介电常数电容器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种巨介电常数电容器，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。本发明专利技术的巨介电常数电容器通过将巨介电常数电容器外部即上层与下层设置成绝缘体，中层设置为半导体，由于半导体具有较多载流子和空间电荷，这些正负电荷在外加电场的作用下发生分离，分别在上、下表面绝缘体靠近半导体的一侧聚积形成极化，以达到形成较大的介电常数的效果；又因为这些聚积的电荷并被限制在绝缘体下而不是参与到外电路中形成电流，达到漏电损耗小的效果。

【技术实现步骤摘要】
巨介电常数电容器及其制备方法
本专利技术涉及一种巨介电常数电容器及其制备方法，属于半导体巨介电常数电容器领域。
技术介绍
由于对于尺寸微型化和高能量存储密度的需求，巨介电常数材料一直是现代巨介电常数电容器、滤波器等电子器件研究的热点。传统的极化理论主要分为三种：电子位移极化机制，离子位移极化机制和电偶极子取向极化机制。电子位移极化主要是组成介质的原子或离子，在电场作用下，原子的或离子的正负电荷中心不重合，即带正电的原子核与其壳层电子的负电中心不重合，因而产生感应偶极矩。离子位移极化主要是组成介质的正负离子，在电场作用下，正负离子产生相对位移。因为正负离子的距离发生改变而产生的感应偶极矩。电偶极子取向极化主要是组成介质的分子为有极分子，在没有外电场时固有的偶极矩取向是无规则的，而有电场后会随外电场重新排列，因固有偶极矩转向而在介质中产生偶极矩。这些极化在外电场作用下都只会被限制在原子或晶胞内，并不能在外电路中形成宏观的电流，因此不会导致漏电损耗。然而，实际材料内部总会有一些空间电荷，这些空间电荷在外电场作用下也可以重新排列的，它们通常不能被限制在电介质材料内部而是参与到外部电路的电流中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种巨介电常数电容器，其特征在于，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。

【技术特征摘要】
1.一种巨介电常数电容器，其特征在于，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。2.如权利要求1所述的巨介电常数电容器，其特征在于，所述半导体内设置有载流子，所述载流子浓度范围为1016-1021cm3。3.如权利要求1所述的巨介电常数电容器，其特征在于，所述上层与下层的厚度总和小于所述中层的厚度，所述中层厚度与所述上层与下层的厚度总和的厚度比不小于1000。4.一种巨介电常数电容器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑分刚，刘凯，孙亚龙，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32