控制存储器设备的回收的方法、存储设备及其操作方法技术

在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。

【技术实现步骤摘要】
控制存储器设备的回收的方法、存储设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年10月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2016-0131977号的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
示例性实施例一般涉及半导体存储器设备，并且更具体地涉及控制对非易失性存储器设备的回收的方法、操作存储设备的方法和存储设备。
技术介绍
半导体存储器设备是使用诸如但不限于硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等半导体制造的存储设备。半导体存储器设备通常可分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可能在断电时丢失存储在其中的内容。易失性存储器包括以下各项：静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。即使在断电时，非易失性存储器也可以保存存储的内容。非易失性存储器包括以下各项：只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪速存储器可用于各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法，其中存储块中的每个存储块包括多个页，所述方法包括：当第一数据包括使用纠错码(ECC)操作不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压对第一数据执行恢复读取操作，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的；以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定是否执行对第一页的回收，其中所述存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域。

【技术特征摘要】
2016.10.12 KR 10-2016-01319771.一种控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法，其中存储块中的每个存储块包括多个页，所述方法包括：当第一数据包括使用纠错码(ECC)操作不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压对第一数据执行恢复读取操作，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的；以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定是否执行对第一页的回收，其中所述存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中最佳读取电压表示与第一页的存储单元的多个编程状态中的两个编程状态的重叠区域的谷值对应的阈值电压，其中感兴趣区域是在相邻的两个编程状态中的至少一个中由最佳读取电压和与最佳读取电压不同的第一电压限定的区域，并且其中第一电压与最佳读取电压相差一偏移电压。3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定是否执行对第一页的回收包括：对第一页的存储单元的在感兴趣区域内的存储单元的数量进行计数；将所计数的存储单元的数量与参考值进行第一比较；以及基于所述第一比较的结果来选择性地确定是否回收第一页。4.根据权利要求3所述的方法，其中当所计数的存储单元的数量等于或大于参考值时，确定所述第一页应被回收。5.根据权利要求3所述的方法，其中当所计数的存储单元的数量小于参考值时，确定第一页不应被回收。6.根据权利要求3所述的方法，其中对感兴趣区域内的存储单元的数量进行计数包括：对第一页的存储单元中的、通过将第一电压施加到第一页而导通的存储单元的第一数量进行计数；对第一页的存储单元中的、通过将最佳读取电压施加到第一页而导通的存储单元的第二数量进行计数；以及计算第一数量和第二数量之间的差。7.根据权利要求3所述的方法，其中当基于第一比较的结果确定第一页不应被回收时，所述方法还包括：计算相对于最佳读取电压的感兴趣区域的阈值电压分布的斜率；将所计算的斜率与参考斜率进行第二比较；以及基于第二比较的结果来选择性地确定是否回收第一页。8.根据权利要求7所述的方法，其中，当所计算的斜率等于或小于参考斜率时，确定所第一页应该被回收。9.根据权利要求7所述的方法，其中，当所计算的斜率大于参考斜率时，确定第一页不应被回收。10.根据权利要求1所述的方法，其中当确定第一页应被回收时，第一页的至少一个错误被校正，并且所校正的第一页被编程到除了第一页之外的第二页中，并且其中第二页是空闲页。11.根据权利要求1所述的方法，其中当第一页的存储单元的多个编程状态中的两个编程状态的重叠区域包括多个谷值时，最佳读取电压表示与由谷值表示的存储单元的数量中的最大值对应的谷值的阈值电压。12.一种操作存储设备的方法，所述存储设备包括至少一个非易失性存储器设备和被配置为控制至少一个非易失性存储器设备的存储器控制器，其中至少一个非易失性存储器设备包括多个存储块，并且存储块中的每个存储块包括多个页，所述方法包括：使用默认读取电压集来对存储块中的第一存储块的第一页执行默认读取操作以生成第一数据；当第一数据包括不可校正的错误时，基于第一数据确定最佳读取电压，以基于最佳读取电压对第一数据执行恢复读取操作；以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行之后被校正时，基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定是否执行对第一页的回收，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域。13.根据权利要求12所述的方法，其中最佳读取电压表示与第一页的存储单元的多个编程状态中的两个编程状态的重叠区域的谷值对应的阈值电压，其中感兴趣区域是在相邻的两个编程状态中的至少一个中由最佳读取电压和与最佳读取电压不同的第一电压限定的区域，并且其中第一电压与最佳读取电压相差一偏移电压。14.根据权利要求13所述的方法，其中确定是否执行对第一页的回收包括：对第一页的存储单元的在感兴趣区域内的存储单元的数量进行计数；将所计数的存储单元的数量与参考值进行第一比较；以及基于第一比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴信镐，姜宇现，金珉奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR