The invention provides a photoresist coating system and method. The photoresist spraying system includes a wafer bearing platform, a driving device, a photoresist storage device, and a photoresist nozzle. The driving device is connected with the wafer bearing table to drive the rotation of the wafer bearing table; the photoresist nozzle is located in the wafer carrying capacity. The number of the photoresist sprinklers is multiple, and each of the photoresist sprinklers is movably connected with the photoresist storage device. The photoresist nozzle is located above the wafer bearing platform, and the number of photoresist sprinklers is multiple. Each photoresist nozzle is connected with the photoresist storage device, thus setting the position of the photoresist nozzle according to the size of the wafer and the uniformity of the photoresist, so that the photoresist spray head is better adapted to the coating of the wafer. It can reduce the time of photoresist coating, reduce the amount of photoresist, reduce the amount of photoresist, and reduce the bad coating of photoresist.
【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶涂布系统及方法
本专利技术涉及半导体
,尤其是一种光刻胶涂布系统及方法。
技术介绍
半导体制造工艺中,光刻工艺一直被认为是集成电路制造中关键的步骤,在整个光刻工艺过程中晶圆涂布非常重要,其稳定性及可靠性对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程,其本质是把电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上,首先利用光刻胶涂布系统在晶圆上形成光刻胶薄层,再将平行光经过掩膜版照射在光刻胶薄层上使其曝光而变质,最后利用显影液进行显影完成图形转移。其中,若形成的光刻胶薄层厚度出现了偏差,会直接影响到后面相关工艺的进行。在半导体制造产业中,现有的光刻胶喷涂技术是采用中心喷涂方式,即晶圆只有一个喷头喷涂光刻胶,该光刻胶喷头置于晶圆中心上方,喷涂光刻胶后晶圆旋转使光刻胶布满晶圆。所述中心喷涂方式,首先,设置一光刻胶溶剂喷头喷涂光刻胶溶剂,使晶圆润湿,易于后面光刻胶涂布。然后另一光刻胶喷头喷涂光刻胶,图1是本专利技术现有技术光刻胶在晶圆上流动的示意图,喷涂过程中晶圆仍然可以旋转也可以不旋转,喷涂完后晶圆高速旋转将光刻胶向四周甩出,光刻 ...
【技术保护点】
一种光刻胶喷涂系统,其特征在于,所述光刻胶喷涂系统包括晶圆承载台、驱动装置、光刻胶存储装置及光刻胶喷头;所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转;所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方,所述光刻胶喷头的数量为多个,每个所述光刻胶喷头均与所述光刻胶存储装置活动连接。
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶喷涂系统,其特征在于,所述光刻胶喷涂系统包括晶圆承载台、驱动装置、光刻胶存储装置及光刻胶喷头;所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转;所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方,所述光刻胶喷头的数量为多个,每个所述光刻胶喷头均与所述光刻胶存储装置活动连接。2.如权利要求1所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,所述晶圆承载台为圆形。3.如权利要求2所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,所述晶圆承载台真空吸附所述晶圆。4.如权利要求3所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,多个所述光刻胶喷头沿着所述晶圆承载台的同一半径分布,其中,第一个所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台中心上方。5.如权利要求1所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,每个所述光刻胶喷头上设置有传感器。6.如权利要求1~5中任一项所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,每个所述光刻胶喷头呈倒梯形,每个所述光刻胶喷头的出口口径为0.2mm~0.8mm。7.如权利要求1~5中任一项所述的光刻胶喷涂系统,其特征在于,所述光刻胶喷头的位置和数量能够根据喷涂时光刻胶的厚度和/或晶圆尺寸变更。8.一种如权利要求1~7中任一项所述的光刻胶喷涂系统的光刻胶涂布方法,其特征在于,所述光刻胶涂布方法包括:放置晶圆于晶圆承载台;多个光刻胶喷头向所述晶圆上喷涂光刻胶;旋转晶圆承载台使光刻胶均匀涂布所述晶圆。9.如权利要求8所述的光刻胶涂布方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱治国,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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