复合型半导体装置制造方法及图纸

提供一种抑制了布线面积的增大的同时，改善了应答性能及可靠性的复合型半导体装置。指状电极1配置成多行多列，经由栅极端子(3)输入的信号，从与指状电极1中、同一行或相邻的两行的指状电极1的各个栅极电极(G)连接且沿上述行形成的栅极布线(18)的上述行方向上的中间区域被供给。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合型半导体装置
本专利技术涉及一种包含半导体装置和常导通型(normally-ontype)场效应晶体管的复合型半导体装置，所述半导体装置具备多个常断开型(normally-offtype)场效应晶体管。
技术介绍
在目前的半导体装置中主要使用的Si(硅)系场效应晶体管是常断开型的。常断开型场效应晶体管是一种在向栅极电极(G)和源极电极(S)之间施加正电压时导通，在栅极电极(G)和源极电极(S)之间未施加正电压时成为非导通的晶体管。作为该常断开型场效应晶体管的实现方法之一，存在一种横向双扩散MOS场效应晶体管(LDMOSFET:TheLateralDouble-DiffusedMOSfieldeffecttransistor)。该横向双扩散MOS场效应晶体管具有如下特征：源极电极(S)和漏极电极(D)形成在半导体基板的同一面上，并且，能够通过从源极电极(S)贯穿半导体之中的沟槽而与位于半导体背面的电极连接。另一方面，为了具备高耐压、低损耗、高速切换以及高温运行等特征而正在推进实用化研究的GaN等III-N型场效应晶体管则是常导通型的。常导通型场效应晶体管具有负的阈值电压，在栅极电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合型半导体装置，包含多个常断开型场效应晶体管，且包含具备栅极端子、漏极端子及源极端子的半导体装置、常导通型场效应晶体管、第2栅极端子、第2漏极端子以及第2源极端子，其特征在于，在所述多个常断开型场效应晶体管的各者中，栅极电极与所述栅极端子连接，漏极电极与所述漏极端子连接，源极电极与所述源极端子连接；在所述半导体装置中，所述栅极端子、与所述漏极端子及所述源极端子中的任一者形成在第1面上，所述漏极端子及所述源极端子中的另一者形成在所述第1面的背面即第2面上；所述第2漏极端子与所述常导通型场效应晶体管的漏极电极连接，所述第2源极端子与所述常导通型场效应晶体管的栅极电极及所述半导体装置的源极端子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.07 JP 2015-1577061.一种复合型半导体装置，包含多个常断开型场效应晶体管，且包含具备栅极端子、漏极端子及源极端子的半导体装置、常导通型场效应晶体管、第2栅极端子、第2漏极端子以及第2源极端子，其特征在于，在所述多个常断开型场效应晶体管的各者中，栅极电极与所述栅极端子连接，漏极电极与所述漏极端子连接，源极电极与所述源极端子连接；在所述半导体装置中，所述栅极端子、与所述漏极端子及所述源极端子中的任一者形成在第1面上，所述漏极端子及所述源极端子中的另一者形成在所述第1面的背面即第2面上；所述第2漏极端子与所述常导通型场效应晶体管的漏极电极连接，所述第2源极端子与所述常导通型场效应晶体管的栅极电极及所述半导体装置的源极端子连接，所述第2栅极端子与所述半导体装置的栅极端子连接，所述常导通型场效应晶体管的源极电极与所述半导体装置的漏极端子连接；所述多个常断开型场效应晶体管配置成多行多列；...

【专利技术属性】
技术研发人员：木原诚一郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP