一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法技术

本发明专利技术公开了一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，包括：S1：筛选出光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，金属边区域的上金属边和下金属边之间的距离大于或等于最小设计规则，金属边区域内具有上通孔层和下通孔层；S2：判断上金属边与上下通孔层、以及下金属边与上下通孔层是否均为相切关系；若是，则执行S3；若否，则执行S4；S3：对上金属边的相交邻边和下金属边的相交邻边分别做拉伸的版图修正动作；S4：对不相切的金属边做后退的版图修正动作。本发明专利技术分利用金属层多余的距离空间，针对光阻顶部缺失的工艺热点进行版图处理，模拟结果得到金属凹槽间的绝缘区增加，能有效避免因光阻顶部缺失导致的金属线短路问题。

【技术实现步骤摘要】
一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法
本专利技术涉及半导体制造的
，尤其涉及一种版图处理方法。
技术介绍
光阻顶部缺失(resisttoploss)是指在光阻曝光过程中，光阻厚度变薄，导致在后续的刻蚀等工艺中产生缺陷。当工艺节点延伸至28nm及以下时，一方面工艺设计中的光阻厚度降低，另一方面焦深减小，导致光阻顶部缺失现象对工艺稳定性的影响急剧增大。金属层的最小设计规则，随着节点延伸变得越来越小，版图设计和逻辑运算时，通常只考虑满足器件要求，以及不违反最小设计规则，对于工艺窗口很难确保是最佳的，会容易产生光阻顶部缺失工艺热点的结构设计。针对这个问题，规则式的光学临近效应修正并不能完全覆盖到光阻顶部缺失工艺热点，而模型式光学临近修正方法虽然可以通过多次循环反馈进行修正，但一方面对计算资源需求大，计算时间长，另一方面调整量微小，结果并不能很好地改善。
技术实现思路
为了避免光阻顶部缺失导致的金属线短路问题，降低工艺风险，缩短研发周期，本专利技术的目的在于提供一种利用金属层版图中多余的距离空间，针对光阻顶部缺失的工艺热点进行版图预处理，然后再进行常规的OPC(OpticalProximityCorrection，光学邻近效应校正)操作的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，包括：步骤S1：筛选出光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，所述金属边区域的上金属边和下金属边之间的距离大于或等于最小设计规则，所述金属边区域内具有上通孔层和下通孔层；步骤S2：判断所述上金属边与所述上通孔层或所述下通孔层、以及所述下金属边与所述上通孔层或所述下通孔层是否均为相切关系；若是，则执行步骤S3；若否，则执行步骤S4；步骤S3：对所述上金属边的相交邻边和所述下金属边的相交邻边分别做拉伸的版图修正动作；步骤S4：对不相切的金属边做后退的版图修正动作。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，还包括：步骤S5：对所述金属边区域进行光学邻近效应修正。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S1中，所述上金属边和所述下金属边的30nm的范围内具有上通孔层和下通孔层。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S1中，所述上金属边和所述下金属边之间的距离大于最小设计规则不超过10nm。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S1中，上通孔层的通孔的边长和下通孔层的通孔的边长均为最小设计规则。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S3中，所述上金属边的所述相交邻边与所述上金属边垂直，所述下金属边的所述相交邻边与所述下金属边垂直。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，步骤S3中，所述上金属边的所述相交邻边的长度和所述下金属边的所述相交邻边的长度均不超过100nm。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S3中，拉伸的版图修正动作的数值需在满足设计规则的条件下根据具体版图多余空间情况以及实际工艺能力决定。上述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其中，所述步骤S4中，后退的版图修正动作的数值需在满足设计规则的条件下根据具体版图多余空间情况以及实际工艺能力决定。本专利技术由于采用了上述技术，使之与现有技术相比具有的积极效果是：(1)本专利技术分利用金属层多余的距离空间，针对光阻顶部缺失的工艺热点进行版图处理，模拟结果得到金属凹槽间的绝缘区增加，能有效避免因光阻顶部缺失导致的金属线短路问题，降低了工艺风险。附图说明图1是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例1的金属层及上下通孔层的原始版图。图2是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例1的版图处理后的金属层及上下通孔层。图3是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例2的金属层及上下通孔层的原始版图。图4是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例2的版图处理后的金属层及上下通孔层。图5是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的程序框图。附图中：M11、金属层；M12、金属层；L11、上金属边；L12、下金属边；C1、上通孔层；C2、下通孔层；L111、第一上相交邻边；L112、第二上相交邻边；L121、第一下相交邻边；L122、第二下相交邻边；M21、金属层；M22、金属层；L21、上金属边；L22、下金属边；C3、上通孔层；C4、下通孔层。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。图1是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例1的金属层及上下通孔层的原始版图，图2是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例1的版图处理后的金属层及上下通孔层，图3是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例2的金属层及上下通孔层的原始版图，图4是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的实施例2的版图处理后的金属层及上下通孔层，图5是本专利技术的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法的程序框图，请参见图1至图5所示，示出了一种较佳实施例的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，包括：步骤S1：筛选出光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，金属边区域的上金属边和下金属边之间的距离大于或等于最小设计规则，金属边区域内具有上通孔层和下通孔层。步骤S2：判断上金属边与上下通孔层、以及下金属边与上下通孔层是否均为相切关系；若是，则执行步骤S3；若否，则执行步骤S4；步骤S3：对上金属边的相交邻边和下金属边的相交邻边分别做拉伸的版图修正动作，执行步骤S5。步骤S4：对不相切的金属边做后退的版图修正动作，执行步骤S5。步骤S5：对金属边区域进行光学邻近效应修正。其中，步骤S3和步骤S4针对光阻顶部缺失的工艺热点进行了版图预处理，模拟结果得到金属凹槽间的绝缘区增加，能够有效避免光阻顶部缺失导致的金属线短路问题，降低工艺风险。作为一种较佳的实施例，步骤S1中，上金属边和下金属边的30nm的范围内具有上通孔层和下通孔层。作为一种较佳的实施例，步骤S1中，上金属边和下金属边之间的距离大于最小设计规则不超过10nm。作为一种较佳的实施例，步骤S1中，上通孔层的通孔的边长和下通孔层的通孔的边长均为最小设计规则。作为一种较佳的实施例，步骤S3中，上金属边的相交邻边与上金属边垂直，下金属边的相交邻边与下金属边垂直。作为一种较佳的实施例，步骤S3中，上金属边的相交邻边的长度和下金属边的相交邻边的长度均不超过100nm。作为一种较佳的实施例，步骤S3中，拉伸的版图修正动作的数值需在满足设计规则的条件下根据具体版图多余空间情况以及实际工艺能力决定。作为一种较佳的实施例，步骤S4中，后退的版图修正动作的数值需在满足设计规则的条件下根据具体版图多余空间情况以及实际工艺能力决定。实施例1：请具体参见图1、图2所示，示出了一种筛选出的光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，其中金属层M11和金属层M12为同层金属，上金属边L11与下金属边L12的距离为最小设计规则。作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其特征在于，包括：步骤S1：筛选出光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，所述金属边区域内具有上通孔层和下通孔层；步骤S2：判断所述上金属边与所述上通孔层或所述下通孔层、以及所述下金属边与所述上通孔层或所述下通孔层是否均为相切关系；若是，则执行步骤S3；若否，则执行步骤S4；步骤S3：对所述上金属边的相交邻边和所述下金属边的相交邻边分别做拉伸的版图修正动作；步骤S4：对不相切的金属边做后退的版图修正动作。

【技术特征摘要】
1.一种金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其特征在于，包括：步骤S1：筛选出光阻顶部缺失工艺热点的金属边区域，所述金属边区域内具有上通孔层和下通孔层；步骤S2：判断所述上金属边与所述上通孔层或所述下通孔层、以及所述下金属边与所述上通孔层或所述下通孔层是否均为相切关系；若是，则执行步骤S3；若否，则执行步骤S4；步骤S3：对所述上金属边的相交邻边和所述下金属边的相交邻边分别做拉伸的版图修正动作；步骤S4：对不相切的金属边做后退的版图修正动作。2.根据权利要求1所述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其特征在于，还包括：步骤S5：对所述金属边区域进行光学邻近效应修正。3.根据权利要求2所述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述上金属边和所述下金属边的30nm的范围内具有上通孔层和下通孔层。4.根据权利要求2所述的金属层光阻顶部缺失工艺热点的版图处理方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵璇，王丹，谭铁群，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31