一种超低介电常数微波介质材料制造技术

本发明专利技术公开的超低介电常数微波介质材料，其表达式为(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑yTiO2、(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑yCaTiO3或(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑ySrTiO3，0.2≤x≤0.4，0.02≤y≤0.1。本发明专利技术的微波介质材料由非晶相(1‑x)SiO2‑xB2O3及晶相TiO2、CaTiO3或SrTiO3构成，非晶相与晶相之间无化学反应。本发明专利技术的微波介质材料具有超低介电常数(3.9～5.0)、高Qf值(40,000～70,000GHz)与近零谐振频率温度系数(‑5～5ppm/℃)。本发明专利技术提供的微波介质材料可用于微波基板，其超低的介电常数可有效降低微波在基板中传输时的信号延迟，高Qf值可降低信号传输时的能量损失，近零谐振频率温度系数则可维持微波电路优异的温度稳定性，从而满足高端微波通讯技术对微波基板材料提出的更高要求。

A kind of ultra low dielectric constant microwave dielectric material

【技术实现步骤摘要】
一种超低介电常数微波介质材料
本专利技术涉及应用于通讯系统中的微波介质材料，尤其涉及一种具有超低介电常数的微波介质材料。
技术介绍
低介电常数微波介质材料被广泛应用于微波基板，是微波通讯领域中的关键材料之一，其基本性能要求为：尽可能低的介电常数εr以降低微波在基板中传输时的信号延迟、尽可能高的Qf值以减少信号传输过程的能量损失、近零的谐振频率温度系数τf以维持微波电路的温度稳定性。然而，以上三个性能指标通常是相互制约的，同时具有低εr、高Qf值及近零τf的材料非常少见。而另一方面，微波通讯向更高频率发展的趋势对基板材料的综合性能提出越来越高的要求，开发同时具有超低εr(<5)、高Qf值(>40,000GHz)及近零τf的微波基板材料对于高端微波通讯技术的发展具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有高Qf值及近零谐振频率温度系数的超低介电常数微波介质材料。本专利技术的超低介电常数微波介质材料表达式为(1-y)[(1-x)SiO2-xB2O3]-yTiO2、(1-y)[(1-x)SiO2-xB2O3]-yCaTiO3或(1-y)[(1-x)S本文档来自技高网...

【技术保护点】
超低介电常数微波介质材料，其特征在于：表达式为(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑yTiO2、(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑yCaTiO3或(1‑y)[(1‑x)SiO2‑xB2O3]‑ySrTiO3，其中0.2≤x≤0.4，0.02≤y≤0.1；由非晶相(1‑x)SiO2‑xB2O3及晶相TiO2、CaTiO3或SrTiO3构成，非晶相与晶相之间无化学反应。

【技术特征摘要】
1.超低介电常数微波介质材料，其特征在于：表达式为(1-y)[(1-x)SiO2-xB2O3]-yTiO2、(1-y)[(1-x)SiO2-xB2O3]-yCaTiO3或(1-y)[(1-x)Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雷，洪文斌，陈湘明，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33