利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵制造技术

本实用新型专利技术公开了一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其包括有多个两相单级电荷泵电路，两相单级电荷泵电路包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容和第三电容，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的前端，第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的后端，多个两相单级电荷泵电路前后依次串联或相互并联，串联时，位于最前的两相单级电荷泵电路的前端接入高电平信号，并联时，多个两相单级电荷泵电路的前端均接入高电平信号。本实用新型专利技术成本低廉、结构简单、纹波噪声低。

【技术实现步骤摘要】
利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵
本技术涉及用于模拟电路中的电荷泵，尤其涉及一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵。
技术介绍
目前的被动式电容指纹识别技术是由Driver和Sensor这两个芯片组成，通过driver把Sensor芯片的地抬高来感应并采集指纹的图案，请参照图1，图1表示了Driver和Sensor之间的电压域及其相互关系。抬地的电压越高，指纹感应的所造成的电容电荷变化量就越大，产生的图像效果越好也越容易识别。而产生的抬地高压有两种方式实现：一种是采用BoostConverter来将输入低压转化为高压，请参照图2；另一种是采用电荷泵方式将低压转化为高压，请参照图3。前者转换效率高，但不仅需要高压器件，还需要一个外接的电感(体积大价格贵)和一个外接稳压电容；后者也需要高压器件和多个外接电容(或做稳压电容或做flycapacitor)。然而，由于现有的指纹芯片(Sensor和Driver)设计全部采用5V的中压器件，这两种方式都不太适合面积有限且外接器件有限的集成式指纹识别芯片方案。另外，在穿透至少350um厚度的玻璃(UnderGlas本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其特征在于，包括有多个两相单级电荷泵电路(1)，所述两相单级电荷泵电路(1)包括有第一PMOS管(MP1A)、第二PMOS管(MP2A)、第三PMOS管(MP1)、第四PMOS管(MP2)、第一NMOS管(MN1A)、第二NMOS管(MN2A)、第三NMOS管(MN1)、第四NMOS管(MN2)、第一电容(CC1)、第二电容(CC2)和第三电容(CH1)，其中：所述第一PMOS管(MP1A)的源极连接高电位，所述第一NMOS管(MN1A)的源极接地，所述第一PMOS管(MP1A)的栅极和第一NMOS管(MN1A)的栅极相互连接后接入第一路...

【技术特征摘要】
1.一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其特征在于，包括有多个两相单级电荷泵电路(1)，所述两相单级电荷泵电路(1)包括有第一PMOS管(MP1A)、第二PMOS管(MP2A)、第三PMOS管(MP1)、第四PMOS管(MP2)、第一NMOS管(MN1A)、第二NMOS管(MN2A)、第三NMOS管(MN1)、第四NMOS管(MN2)、第一电容(CC1)、第二电容(CC2)和第三电容(CH1)，其中：所述第一PMOS管(MP1A)的源极连接高电位，所述第一NMOS管(MN1A)的源极接地，所述第一PMOS管(MP1A)的栅极和第一NMOS管(MN1A)的栅极相互连接后接入第一路时钟信号(CLK1)，所述第一PMOS管(MP1A)的漏极、第一NMOS管(MN1A)的漏极和第一电容(CC1)的第一端相连接；所述第二PMOS管(MP2A)的源极连接高电位，所述第二NMOS管(MN2A)的源极接地，所述第二PMOS管(MP2A)的栅极和第二NMOS管(MN2A)的栅极相互连接后接入第二路时钟信号(CLK2)，所述第二路时钟信号(CLK2)与第一路时钟信号(CLK1)的相位相反，所述第二PMOS管(MP2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思伟，余佳，
申请(专利权)人：深圳贝特莱电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44