低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路，包括升压电路和与所述升压电路相连接的控制电路，还设有与所述升压电路相连接的泄放电路，升压电路包括升压芯片、大功率MOS管、电感、第八电阻、第二十电阻和第一单向二极管，泄放电路包括第二单向二极管、第七电阻、三极管。本实用新型专利技术的结构设置合理，其可以实现多档调节输出，并且电路的稳定性较高，升压的转换效率也较高，大大提高了使用可靠性，同时其使用电子元件较少，从而大大降低了成本，使用稳定性好，适用性强且实用性好。

【技术实现步骤摘要】
低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路
本技术属于升压电路
，具体涉及一种低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路。
技术介绍
随着电子技术的成熟，各种升压电路发展迅速，然而在多档调压时，采传统技术的升压电路会大大增加成本，而且其升压转换效率较低且可靠性难以得到保障，故而适用性和实用性受到限制。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构设置合理且可有效提高升压转换效率的低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路。实现本技术目的的技术方案是一种低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路，包括升压电路和与所述升压电路相连接的控制电路，还设有与所述升压电路相连接的泄放电路，所述升压电路包括升压芯片、大功率MOS管、电感、第八电阻、第二十电阻和第一单向二极管，所述泄放电路包括第二单向二极管、第七电阻、三极管，所述大功率MOS管的栅极通过第二十电阻连接在第二单向二极管的负极上，所述第二单向二极管的正极连接在升压芯片的SW2引脚上，所述电感连接在大功率MOS管的漏极与升压芯片的SW1引脚上，所述三极管的基极连接的第二单向二极管的正极上、发射极连接在第二单向二极管的负极上且集电极接地，所述第七本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路，包括升压电路和与所述升压电路相连接的控制电路，其特征在于：还设有与所述升压电路相连接的泄放电路，所述升压电路包括升压芯片、大功率MOS管、电感、第八电阻、第二十电阻和第一单向二极管，所述泄放电路包括第二单向二极管、第七电阻、三极管，所述大功率MOS管的栅极通过第二十电阻连接在第二单向二极管的负极上，所述第二单向二极管的正极连接在升压芯片的SW2引脚上，所述电感连接在大功率MOS管的漏极与升压芯片的SW1引脚上，所述三极管的基极连接的第二单向二极管的正极上、发射极连接在第二单向二极管的负极上且集电极接地，所述第七电阻连接在三极管的基极与集电极之间，...

【技术特征摘要】
1.一种低成本大功率升压电路用电子控制多档调压电路，包括升压电路和与所述升压电路相连接的控制电路，其特征在于：还设有与所述升压电路相连接的泄放电路，所述升压电路包括升压芯片、大功率MOS管、电感、第八电阻、第二十电阻和第一单向二极管，所述泄放电路包括第二单向二极管、第七电阻、三极管，所述大功率MOS管的栅极通过第二十电阻连接在第二单向二极管的负极上，所述第二单向二极管的正极连接在升压芯片的SW2引脚上，所述电感连接在大功率MOS管的漏极与升压芯片的SW1引脚上，所述三极管的基极连接的第二单向二极管的正极上、发射极连接在第二单向二极管的负极上且集电极接地，所述第七电阻连接在三极管的基极与集电极之间，所述第一单向二极管的正极连接在大功率MOS管的漏极上且负极连接输出端，所述大功率MOS管的源极接地。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄植富，
申请(专利权)人：广东金莱特电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44