本实用新型专利技术涉及显示装置。本实用新型专利技术的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述像素包含使用氧化物半导体(107)的第1TFT，在所述氧化物半导体(107)之上形成栅极绝缘膜(108)，在所述栅极绝缘膜(108)之上形成第1栅电极(109)，在所述氧化物半导体(107)的源极及漏极的各自中，与所述氧化物半导体接触从而形成由金属或合金形成的第1源漏电极(110)，所述第1栅电极(109)及所述第1源漏电极(110)为相同材料。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
本技术涉及显示装置，且涉及使用混合式(hybrid)结构(其利用使用结晶硅(Poly-Si多晶硅)的TFT和使用氧化物半导体的TFT这两者)的显示装置。
技术介绍
对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板，与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制利用液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层与TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于不需要背光源，因此对于薄型化而言是有利的。由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。作为记载了使用氧化物半导体的TFT的文献，可举出专利文献1及专利文献2。专利文献1中记载了在构成沟道的氧化物半导体之上形成金属氧化物，将其用作栅极绝缘膜的构成。专利文献2中记载了，在使用氧化物半导体的底栅型TFT中，作为沟道蚀刻的牺牲层而使用金属氧化物或者半导体层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-175718号公报专利文献2：日本特开2011-54812号公报
技术实现思路
技术要解决的问题关于作为像素的开关使用的TFT，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。以下，将氧化物半导体之中的光学透明、且非晶的那些称为TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor：透明非晶氧化物半导体)。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化铟镓锌)、ITZO(IndiumTinZincOxide：氧化铟锡锌)、ZnON(ZincOxideNitride：氮氧化锌)、IGO(IndiumGalliumOxide：氧化铟镓)等。以下，以TAOS为代表说明氧化物半导体。TAOS的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了TAOS的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT的意思。另一方面，由LTPS形成的TFT的迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS的TFT的意思。但是，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下，LTPS的漏电流大，因此，通常将2个LTPS串联使用。因此，当作为显示区域中的像素的开关元件而使用TAOS，而在周边驱动电路的TFT中使用LTPS时，则是合理的。但是，对于LTPS和TAOS而言，由于材料的性质不同，因此对于将其形成于同一基板上而言，存在问题。即，在LTPS上形成源电极和漏电极时，为了除去表面氧化物，需要用氢氟酸(HF)清洗LTPS，但由于TAOS通过氢氟酸(HF)而溶解，因此不能使用同一工序。本技术的课题在于，通过解决如上所述的问题，从而能够实现以共用工艺来将利用LTPS的TFT与利用TAOS的TFT形成于同一基板上。用于解决问题的手段本技术为克服上述问题的技术，且具体手段如下所述。(1)一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料、且被同时构图。(2)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而连接于所述第1TFT的源极或漏极。(3)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。(4)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的外侧形成驱动电路，所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。(5)一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，覆盖所述氧化物半导体、所述栅电极、所述第1源漏电极地形成第1绝缘膜，第2源漏电极经由形成于所述第1绝缘膜的通孔而与所述第1源漏电极连接，在形成于所述第1绝缘膜的通孔的底部，存在所述第1源漏电极。(6)根据(5)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而与所述第1TFT的源极或漏极连接。(7)根据(5)所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。(8)根据(5)所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的外侧形成驱动电路，所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。附图说明图1：为液晶显示装置的俯视图。图2：为图1的A-A剖面图。图3：为示出液晶显示装置的构成的等效电路。图4：为示出氧化物半导体TFT的构成的俯视图。图5：为示出氧化物半导体TFT的其他构成的俯视图。图6：为示出本技术的氧化物半导体TFT的构成与制造工艺的剖面图。图7：为直到本技术的氧化物半导体TFT和Poly-SiTFT中的中途工序的剖面图。图8：为示出本技术的氧化物半导体TFT和Poly-SiTFT的构成的剖面图。图9：为示出实施例2的第1方式的图。图10：为示出实施例2的第2方式的图。图11：为示出实施例2的第3方式的图。图12：为示出实施例2的第4方式的图。图13：为示出实施例2的第5方式的图。图14：为示出实施例2的第6方式的图。图15：为示出实施例2的第7方式的图。图16：为示出实施例3的第1方式的图。图17：为示出实施例3的第2方式的图。图18：为示出实施例3的第3方式的图。图19：为示出实施例3的第4方式的图。图20：为示出实施例3的第5方式的图。图21：为示出实施例3的第6方式的图。图22：为示出实施例3的第7方式的图。图23：为液晶显示装置的像素部的剖面图。图24：为有机EL显示装置的俯视图。图25：为图24的B-B剖面图。图26：为有机EL显示装置的像素部的剖面图。附图标记说明1…液晶显示装置，2…有机EL显示装置，10…显示区域，11…扫描线，12…影像信号线，13…公共线，20…周边电路区域，21…扫描线驱动电路，22…影像信号线驱动电路，23…公共线驱动电路，100…TFT基板，101…基膜，102…Poly-Si半导体层，103…第1栅极绝缘膜，104…第1栅电极，105…第1层间绝缘膜，106…第2层间绝缘膜，107…氧化物半导体(TAOS)，1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料。
【技术特征摘要】
2016.09.21 JP 2016-1841011.一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而与所述第1TFT的源极或漏极连接。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1TFT的沟道部与所述源漏电极经由在所述氧化物半导体中掺杂有离子的区域而连接。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1TFT被第1绝缘膜覆盖，第2源漏电极经由形成于所述第1绝缘膜的通孔而与所述第1源漏电极连接，在形成于所述第1绝缘膜的通孔的底部，存在所述第1源漏电极。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的外侧形成驱动电路，所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第2TFT被第2绝缘膜覆盖，第3源漏电极经由形成于所述第2绝缘膜的通孔而与所述Poly-Si半导体层连接，在形成于所述第2绝缘膜的通孔的底部，存在所述Poly-Si半导体。8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，与所述第2TFT的栅电极同层、且由相同材料形成有所述第1TFT的遮光膜。9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域进一步包含利用Poly-Si的第2TFT。10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路进一步...
【专利技术属性】
技术研发人员：花田明纮，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：新型
国别省市：日本,JP
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