一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺制造方法及图纸

技术编号:17653670 阅读:238 留言:0更新日期:2018-04-08 07:32
本申请公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺,用以减少制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数,从而简化了阵列基板的制作工艺,减少了显示面板的厚度,同时减少了或避免了发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管,从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性,优化了显示面板的性能。本申请提供的阵列基板,包括:衬底基板、多个薄膜晶体管和电致发光结构,及位于薄膜晶体管和衬底基板之间的遮光结构;其中,薄膜晶体管包括:有源层,及位于有源层远离衬底基板一侧的源漏极层;电致发光结构包括:用于驱动像素单元的第一电极,以及与第一电极相对设置的第二电极;其中,第一电极与遮光结构或有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺
本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺。
技术介绍
传统显示面板的背板制作工艺需要13道掩膜(从衬底基板至像素定义层),掩膜工序次数多;背板的光照稳定性差,背板中阵列基板上的薄膜晶体管容易受到底部和顶部的光源的光照,底部的光源为环境光及阵列基板内部的反射光,顶部的光源为背板中的阵列基板中的发光层的自身发光,背板的光照稳定性问题一直使得背板性能难以优化;目前,喷墨打印有机发光材料是技术研发的热点,如何提高该技术的稳定性也是很大的技术难点。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺,用以减少制作阵列基板中所需的掩膜(MASK)工序的次数,从而简化了阵列基板的制作工艺,减少了显示面板的厚度,同时减少了或避免了发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管,从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性,优化了显示面板的性能。本申请实施例提供的一种阵列基板,包括:衬底基板、设置于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管和电致发光结构,及位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构;其中,所述薄膜晶体管包本文档来自技高网...
一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺

【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板、设置于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管和电致发光结构,及位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构;其中,所述薄膜晶体管包括:位于所述遮光结构远离所述衬底基板一侧的有源层,及位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源漏极层;所述电致发光结构包括:用于驱动像素单元的第一电极,以及与所述第一电极相对设置的第二电极;其中,所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板、设置于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管和电致发光结构,及位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构;其中,所述薄膜晶体管包括:位于所述遮光结构远离所述衬底基板一侧的有源层,及位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源漏极层;所述电致发光结构包括:用于驱动像素单元的第一电极,以及与所述第一电极相对设置的第二电极;其中,所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电致发光结构还包括:位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层;其中,所述源漏极层在所述发光层的外围形成全包围结构。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏极层在平行于阵列基板的面上高于所述发光层。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述第一电极与所述遮光结构为通过同一掩膜版形成的同层结构时,所述遮光结构包括:位于所述衬底基板同侧的滤光片结构,以及位于所述滤光片结构远离所述衬底基板一侧的遮光层;其中,所述滤光片结构包括下列结构之一或组合:位于所述衬底基板同侧的第一颜色滤光片;位于所述第一颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片;位于所述第二颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述第一电极与所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构时,所述遮光结构包括下列结构之一或组合:位于所述衬底基板之上同侧的第一颜色滤光片;、位于所述第一颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片;位于所述第二颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。6.根据权利要4或5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述电致发光结构之下的第一颜色滤光片或第二颜色滤光片或第三颜色滤光片。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:位于所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的,并且位于所述第一电极及第二电极之间的层结构,该层结构作为钝化层和像素界定层。8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~7任一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈江博宋泳锡侯文军赵磊王国英
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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