一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板，包括交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。本实用新型专利技术实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着现有显示装置分辨率的提高，TDDI(触控与显示驱动器集成)等新技术和驱动电路的复杂化，显示装置中尤其是LTPS产品不可避免的在各个区域存在交叉的金属驱动引线(如栅线和数据线)。在这些金属引线交叉的位置容易发生静电击穿，从而导致数据线和栅线短路不良(Data-GateShort，DGS不良)，进而导致异显等不良。
技术实现思路
本技术提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决引线交叉位置易发生静电击穿造成的异显的问题。第一方面，本技术提供一种阵列基板，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。可选地，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引线，所述第一辅助引线的两端与所述第一金属引线相连，所述第一辅助引线与所述第二金属引线形成所述第一保护电容。可选地，所述保护电容还包括第二保护电容和第三保护电容；其中，所述第二保护电容的一个电极为与所述第二金属引线同层设置的第二辅助引线，所述第二辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第二辅助引线与所述第一金属引线形成所述第二保护电容；所述第二辅助引线与所述第一辅助引线形成所述第三保护电容。可选地，所述第一金属引线为栅线，所述第二金属引线为数据线；或者，所述第一金属引线为数据线，所述第二金属引线为栅线。可选地，所述保护电容包括第四保护电容，所述第四保护电容的一个电极为与所述阵列基板的挡光层同层设置的第三辅助引线，所述第三辅助引线与所述第一金属引线通过过孔连接，所述第三辅助引线与所述第二金属引线形成所述第四保护保护电容。可选地，所述保护电容还包括第五保护电容和第六保护电容，所述第五保护电容的一个电极为与所述二金属引线同层设置的第四辅助引线，所述第四辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第四辅助引线与所述第一金属引线形成所述第五保护电容；所述第四辅助引线与所述第三辅助引线形成所述第六保护电容。可选地，所述阵列基板为LTPS-LCD阵列基板，所述第一金属引线为数据线。第二方面，本技术还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。第三方面，本技术还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。与现有技术相比，本技术实施例具有以下优点：本技术实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能。附图说明图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图；图2所示为保护电容与寄生电容并联的等效电路示意图；图3所示为本技术实施例一的寄生电容与保护电容位置结构示意图；图4所示为本技术实施例二的寄生电容与保护电容位置结构示意图；图5所示为本技术实施例三的寄生电容与保护电容位置结构示意图；图6所示为本技术实施例三的LIPS-LCD阵列基板层结构示意图；图7所示为本技术实施例四的寄生电容与保护电容位置结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图，在第一金属引线1'与第二金属引线2'的交叉位置形成寄生电容C1'，在寄生电容C1'处易发生静电击穿，造成两条引线短路，从而造成显示不良等现象。本技术实施例的阵列基板，包括交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在第一金属引线和第二金属引线交叉位置形成有寄生电容C1。还包括至少一个与寄生电容并联的保护电容C2，其等效电路示意图如图2所示。其中，保护电容C2的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容C2的两个电极在垂直于阵列基板方向上相对设置，且保护电容C2的击穿电压小于寄生电容C1的击穿电压。当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能，具体修复方式为对被击穿的保护电容进行激光切割方式，切断保护电容至少一个电极，从而使由于击穿造成的短路不良的阵列基板恢复功能。实施例一本实施例以第一金属引线为数据线，第二金属引线为栅线为例对保护电容的设置进行说明。当然，第一金属引线和第二金属引线可以是存在于阵列基板上的如数据线、栅线、维修线、公共电极线等任意两条相互交叉的金属线之间的组合，以下实施例并不构成对本技术实施例的限制。参照图3所示，为本技术实施例一的寄生电容与保护电容位置结构示意图。在数据线1的一侧设置有与之同层设置的第一辅助引线11，该第一辅助引线11可以与数据线1平行设置，且两端与数据线1相连，在图3的位置31处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置32处由第一辅助引线11与栅线2交叉形成第一保护电容C21。具体的，第一辅助引线11的线宽小于数据线1的线宽，以使第一保护电容C21的击穿电压小于寄生电容C1的击穿电压。这样，当有静电传到阵列基板上时，首先将位置32处的第一保护电容C21击穿，可以对位置31处的寄生电容C1进行保护，当第一保护电容C21被击穿后，数据线1与栅线2短路，产生异显等不良，此时，只需要用激光切割设备切断位置32处交叉位置前后的第一辅助引线11即可恢复阵列基板的功能。图3位置32处形成第一保护电容，在基板的形成过程中无需增加特殊工艺，使用正常量产工艺即可，仅需在形成源漏层(SD层)的数据线时，改变掩膜板的形状，在与数据线平行位置形成图3所示的第一辅助引线即可。其他层结构的形成过程均为现有工艺，在此不再赘述。实施例二本实施例以第一金属引线为数据线，第二金属引线为栅线为例对保护电容的设置进行说明。当然，第一金属引线和第二金属引线可以是存在于阵列基板上的如数据线、栅线、维修线、公共电极线等任意两条相互交叉的金属线之间的组合，以下实施例并不构成对本技术实施例的限制。参照图4所示，为本技术实施例二的寄生电容与保护电容位置结构示意图。在数据线1的一侧设置有与之同层设置的第一辅助引线11，该第一辅助引线11可以与数据线1平行设置，且两端与数据线1相连；在栅线2的一侧设置有与之同层设置的第二辅助引线21，该第二辅助引线21可以与栅线2平行设置，且两端与栅线2相连。在图5的位置41处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置42处由第一辅助引线11与栅线2交叉形成第一保护电容C21；位置43处由第二辅助引线21与数据线1交叉形成第二保护电容C22；位置4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引线，所述第一辅助引线的两端与所述第一金属引线相连，所述第一辅助引线与所述第二金属引线形成所述第一保护电容。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护电容还包括第二保护电容和第三保护电容；其中，所述第二保护电容的一个电极为与所述第二金属引线同层设置的第二辅助引线，所述第二辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第二辅助引线与所述第一金属引线形成所述第二保护电容；所述第二辅助引线与所述第一辅助引线形成所述第三保护电容。4.根据权利要求1-3任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨璐，史大为，王文涛，徐海峰，王金锋，闫雷，姚磊，李峰，武新国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11