一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板，包括交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。本实用新型专利技术实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着现有显示装置分辨率的提高，TDDI(触控与显示驱动器集成)等新技术和驱动电路的复杂化，显示装置中尤其是LTPS产品不可避免的在各个区域存在交叉的金属驱动引线(如栅线和数据线)。在这些金属引线交叉的位置容易发生静电击穿，从而导致数据线和栅线短路不良(Data-GateShort，DGS不良)，进而导致异显等不良。
技术实现思路
本技术提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决引线交叉位置易发生静电击穿造成的异显的问题。第一方面，本技术提供一种阵列基板，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。可选地，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引线，所述第一辅助引线的两端与所述第一金属引线相连，所述第一辅助引线与所述第二金属引线形成所述第一保护电容。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护电容还包括第二保护电容和第三保护电容；其中，所述第二保护电容的一个电极为与所述第二金属引线同层设置的第二辅助引线，所述第二辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第二辅助引线与所述第一金属引线形成所述第二保护电容；所述第二辅助引线与所述第一辅助引线形成所述第三保护电容。4.根据权利要求1-3任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨璐，史大为，王文涛，徐海峰，王金锋，闫雷，姚磊，李峰，武新国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11