ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置，所述电路包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。由此，通过调节双栅薄膜晶体管的第二栅极电压，改变薄膜晶体管的阈值电压，进而有效拓展ESD保护组件的平坦区，降低漏电流，抑制显示装置的信号电压丢失。

ESD protection circuit and method, array substrate, display device

The invention discloses a ESD protection circuit and method, array substrate, display device, the circuit includes: electrostatic and electrostatic discharge starting end end; end connection release ESD protection component between the starting end of electrostatic and electrostatic, electrostatic conduction of the ESD protection component will be the starting end to generate static electricity the electrostatic discharge end of the ESD protection assembly includes at least one dual gate thin film transistor, wherein, the dual gate thin film transistor having a first gate and the second gate; provide the negative negative pressure end, provide second gate terminal and the at least one dual gate thin film transistor connected to the negative supply at the end of second for the gate to the at least one dual gate thin film transistor with negative pressure to expand the ESD protection component of the flat area. Therefore, by adjusting the second gate voltage of double gate thin film transistors, the threshold voltage of TFT can be changed, so as to effectively expand the flat area of ESD protection components, reduce the leakage current and suppress the signal voltage loss of the display device.

【技术实现步骤摘要】
ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种ESD保护电路、一种阵列基板、一种显示装置以及一种ESD保护方法。
技术介绍
相关技术中ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放)保护结构的平坦区较窄，造成在显示装置的工作电压范围漏电流较大，导致数据信号和栅极信号的电压被泄露。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的第一个目的在于提出一种ESD保护电路，能够有效拓展平坦区，降低漏电流。本专利技术的第二个目的在于提出一种阵列基板。本专利技术的第三个目的在于提出一种显示装置以及本专利技术的第四个目的在于提出一种ESD保护方法。为达到上述目的，本专利技术第一方面实施例提出的一种ESD保护电路，包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电释放ESD保护电路，其特征在于，包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。

【技术特征摘要】
1.一种静电释放ESD保护电路，其特征在于，包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。2.根据权利要求1所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护组件包括第一双栅薄膜晶体管，所述第一双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极通过第一电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第一端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极还通过第二电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第二端相连。3.根据权利要求1所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护组件包括为第二双栅薄膜晶体管和第三双栅薄膜晶体管，其中，所述第二双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述第二双栅薄膜晶体管的第一端相连；所述第三双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玲，盖翠丽，张保侠，徐攀，林奕呈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11