一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺。步骤如下：1)、结构及分别加工：像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；2)、预处理：复合后对其外表面喷涂预处理液，喷涂结束利用鼓风干燥机干燥；3)、后续处理：将预处理后的像素定义层模块置于密闭容器中，抽真空保持24小时以上，然后恢复常压再取出。本发明专利技术的一种QLED显示面板的像素定义层模块及其制造工艺，通过合理设计加工工艺使其使用寿命得到显著延长，产品品质更优。

【技术实现步骤摘要】
一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺。
技术介绍
量子点电致发光二极管(QuantumdotsLight-emittingDiodes，QLED)是一种新型的自发光型二极管，QLED显示面板相比与传统的显示面板具有高色饱和度与高色域的特点，现有的QLED显示面板结构复杂，需要设置过孔连接，生产成本较高，产品竞争力不强。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种QLED显示面板，能够简化QLED显示面板的结构，降低QLED显示面板的生产成本，提升产品竞争力。同时，本专利技术还提供了一种QLED显示面板的像素定义层模块及其制造工艺。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种QLED显示面板，包括：基板、覆盖所述基板的缓冲层、设于所述缓冲层上的栅极、覆盖所述栅极和缓冲层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的两端接触的源极和漏极、设于所述栅极绝缘层上并与所述漏极接触的第一电极、覆盖所述源极、漏极、第一电极、及栅极绝缘层的像素定义层、设于所述第一电极上的像素定义层中的像素定义槽、设于所述像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层、设于所述像素定义层上并与所述电子注入层接触的第二电极、以及设于所述第二电极上的封装层。所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极。所述量子点发光层包括有机溶剂材料和分散在所述有机溶剂材料中的量子点材料，所述量子点材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、InAs和InP中的一种或多种。所述源极、漏极及第一电极的材料为钼、铁及铝中的一种或多种的组合，所述第二电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。一种QLED显示面板的像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层。一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺，步骤如下：1)、结构及分别加工像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；2)、预处理复合后对其外表面喷涂预处理液，喷涂结束利用鼓风干燥机干燥；预处理液的组分为：活性炭5份、防沉淀剂3.3份、水15份、高氯化聚乙烯树脂10份、血根碱0.5份；3)、后续处理将预处理后的像素定义层模块置于密闭容器中，抽真空保持24小时以上，然后恢复常压再取出。本专利技术所具有的优点与效果是：1)、本专利技术的一种QLED显示面板，包括：基板、覆盖所述基板的缓冲层、设于所述缓冲层上的栅极、覆盖所述栅极和缓冲层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的两端接触的源极和漏极、设于所述栅极绝缘层上并与所述漏极接触的第一电极、覆盖所述源极、漏极、第一电极、及栅极绝缘层的像素定义层、设于所述第一电极上的像素定义层中的像素定义槽、设于所述像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层、设于所述像素定义层上并与所述电子注入层接触的第二电极、以及设于所述第二电极上的封装层，通过将源漏极与QLED的第一电极同层设置，能够减少连接过孔数量，避免因过孔引起的显示不良，提升产品稳定性，降低生产成本，提升产品竞争力。2)、本专利技术的一种QLED显示面板的像素定义层模块及其制造工艺，通过合理设计加工工艺使其使用寿命得到显著延长，产品品质更优。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步详述：图1为本专利技术的一种QLED显示面板的结构图；图中：基板1、缓冲层2、栅极3、栅极绝缘层4、有源层5、源极6、漏极7、第一电极8、像素定义层12、像素定义槽121、空穴注入层91、空穴传输层92、量子点发光层93、电子传输层94、电子注入层95、第二电极10、封装层11。具体实施方式实施例1请参阅图1，本专利技术提供一种QLED显示面板，包括：基板1、覆盖所述基板的缓冲层2、设于所述缓冲层上的栅极3、覆盖所述栅极3和缓冲层2的栅极绝缘层4、设于所述栅极绝缘层上的有源层5、设于所述栅极绝缘层4上并与所述有源层5的两端接触的源极6和漏极7、设于所述栅极绝缘层4上并与所述漏极7接触的第一电极8、覆盖所述源极6、漏极7、第一电极8、及栅极绝缘层4的像素定义层12、设于所述第一电极8上的像素定义层12中的像素定义槽121、设于所述像素定义槽121内自下而上依次层叠的空穴注入层91、空穴传输层92、量子点发光层93、电子传输层94和电子注入层95、设于所述像素定义层12上并与所述电子注入层95接触的第二电极10、以及设于所述第二电极上的封装层11。具体地，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极。优选地，所述量子点发光层包括有机溶剂材料和分散在所述有机溶剂材料中的量子点材料，所述量子点材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、InAs和InP中的一种或多种。具体地，所述源极、漏极及第一电极的材料为钼、铁及铝中的一种或多种的组合，所述第二电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。具体地，所述封装层11为透明的，优选地，所述封装层11为超薄玻璃，以提升所述封装层11的水氧阻隔效果。具体地，本专利技术通过源漏极与QLED的第一电极同层设置，能够减少连接过孔和因过孔引起的显示不良，提升产品稳定性，在制造时，可以减少光罩数量，简化工艺流程，降低生产成本，提升产品竞争力，同时还可以减少QLED显示面板的膜层数量，降低QLED显示面板的厚度，实现超薄显示。实施例2一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺，步骤如下：1)、结构及分别加工像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；2)、预处理复合后对其外表面喷涂预处理液，喷涂结束利用鼓风干燥机干燥；预处理液的组分为：活性炭5份、防沉淀剂3.3份、水15份、高氯化聚乙烯树脂10份、血根碱0.5份；3)、后续处理将预处理后的像素定义层模块置于密闭容器中，抽真空保持24小时以上，然后恢复常压再取出。本专利技术不局限于上述实施例，实施例只是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺，其特征在于，步骤如下：1)、结构及分别加工像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；2)、预处理复合后对其外表面喷涂预处理液，喷涂结束利用鼓风干燥机干燥；预处理液的组分为：活性炭5份、防沉淀剂3.3份、水15份、高氯化聚乙烯树脂10份、血根碱0.5份；3)、后续处理将预处理后的像素定义层模块置于密闭容器中，抽真空保持24小时以上，然后恢复常压再取出。

【技术特征摘要】
1.一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺，其特征在于，步骤如下：1)、结构及分别加工像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；...

【专利技术属性】
技术研发人员：白航空，
申请(专利权)人：合肥惠科金扬科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34