基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法技术

本发明专利技术一种基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法，确保较低电源供电时，不影响带隙基准电路的正常工作，应用于较宽电源范围。电路包括连接的带隙基准电路和启动电路；启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成。该启动方法，齐纳二极管D1的击穿电压BV与三极管Q1、Q4和Q16的BE结电压之差在电阻R2和R3上可以产生与电源电压无关的具有一定温度系数的电流，该电路通过R6、Q6管和Q7管产生与此电流成相反温度系数的补偿电流，两股电流流经Q13管后形成了最终的具有温度补偿特性的基准电流，通过Q14管的镜像作用从Q15管的集电极流出，提供给其他电路模块使用。

Bandgap reference starting circuit and method for wide power supply range based on anti radiation bipolar process

The invention provides a bandgap reference starting circuit and a method based on the anti radiation bipolar process for wide power range, and ensures that the lower power supply does not affect the normal operation of the bandgap reference circuit, and is applied to a wider power range. The circuit includes a bandgap reference circuit and a starting circuit. The starting circuit is composed of Zener diode D1, resistor R1, first bipolar transistor group and second bipolar transistor group. The startup method, BE node voltage breakdown voltage BV and a triode Q1, Q4 and Q16 of the zener diode D1 can generate current with certain temperature coefficient is independent of the supply voltage across the resistor R2 and R3 on the circuit by R6, Q6 and Q7 tubes and the current temperature compensation current on the contrary the coefficient of the two shares of current flowing through the Q13 tube after the formation of the current with temperature compensation characteristics of the benchmark final, pipe from the Q15 through the mirror effect of Q14 tube collector out to other circuit module.

【技术实现步骤摘要】
基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法
本专利技术涉及集成电路设计
，具体为基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法。
技术介绍
带隙基准电路是模拟集成电路芯片中必不可少的组成模块，一般用于产生不随电源电压、温度和工艺变化的稳定的基准电压。带隙基准电路通常具有两个稳定的状态，然而其中一个零电流的稳定态无法使电路正常工作，因此，常常采用启动电路技术迫使基准电路摆脱此非理想状态，使电路在上电后流过一定的电流开始正常工作。如图1所示，为现有技术公开一种电路中采用的启动电路结构。为了叙述方便，以下将双极型晶体管的基极、集电极和发射极简称为B端、C端和E端。该电路主要由带隙基准电路和启动电路两个单元组成。其中，启动电路由齐纳二极管D1和电阻R1组成，带隙基准电路由电阻(R2、R3、R4、R5、R6)、NPN型双极晶体管(Q1、Q2、Q3、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15)和PNP型双极晶体管(Q4、Q5、Q6、Q7)组成。偏置电压Vbias连接至Q8管的B端，输出基准电流Iref由Q15管的C端输出，AVDD是正电源电压，NAV本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，包括连接的带隙基准电路和启动电路两个单元；所述启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成，齐纳二极管D1一端与正电源电压AVDD相连，另一端与第二双极晶体管组的基极和集电极以及电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与负电源电压NAVDD相连；第一双极晶体管组的发射极连接至带隙基准电路，其基极和集电极均与第二双极晶体管组的发射极相连。

【技术特征摘要】
1.基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，包括连接的带隙基准电路和启动电路两个单元；所述启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成，齐纳二极管D1一端与正电源电压AVDD相连，另一端与第二双极晶体管组的基极和集电极以及电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与负电源电压NAVDD相连；第一双极晶体管组的发射极连接至带隙基准电路，其基极和集电极均与第二双极晶体管组的发射极相连。2.根据权利要求1所述的基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，第一双极晶体管组至少包括一个双极晶体管Q16，当设置有多个双极晶体管时，多个双极晶体管串联设置。3.根据权利要求1所述的基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，第二双极晶体管组至少包括一个双极晶体管Q17，当设置有多个双极晶体管时，多个双极晶体管串联设置。4.根据权利要求1所述的基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，所述的带隙基准电路由电阻R2、R3、R4、R5和R6，NPN型双极晶体管Q1、Q2、Q3、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14和Q15，以及PNP型双极晶体管Q4、Q5、Q6和Q7组成；NPN型双极晶体管Q1的基极和集电极均连接至正电源电压AVDD，发射极连接至电阻R2的一端；电阻R2另一端与电阻R3的一端和PNP型双极晶体管Q7的基极相连，电阻R3的另一端连接至PNP型双极晶体管Q4管的发射极；NPN型双极晶体管Q2的基极和集电极均连接至正电源电压AVDD，发射极与NPN型双极晶体管Q3的基极和集电极相连；NPN型双极晶体管Q3的发射极与电阻R4的一端和PNP型双极晶体管Q6的基极连接，电阻R4的另一端经电阻R5与PNP型双极晶体管Q5的发射极相连；电阻R6的一端与正电源电压AVDD相连，另一端与PNP型双极晶体管Q6的发射极和PNP型双极晶体管Q7的发射极相连，PNP型双极晶体管Q6的发射极和PNP型双极晶体管Q7的集电极共同连接至Q13的基极；PNP型双极晶体管Q4和PNP型双极晶体管Q5的基极分别连接至第一双极晶体管组的发射极；NPN型双极晶体管Q8的基极和集电极均连接至偏置电压Vbias和PNP型双极晶体管Q5管的集电极，NPN型双极晶体管Q8的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖筱，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61