高电源抑制比电压调整电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高电源抑制比电压调整电路，包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电路及与所述电压调整子电路相连的高电源抑制比子电路，所述启动子电路启动所述高电源抑制比电压调整电路的工作，所述电压调整子电路产生需要的可以调节的输出电压，所述高电源抑制比子电路提高所述高电源抑制比电压调整电路的电源抑制比。本发明专利技术提高了电压调整电路的高频段部分的电源抑制比。

High power supply suppression ratio voltage adjustment circuit

The invention discloses a high PSRR voltage adjusting circuit, including promoter circuit, and the circuit is connected to the promoter for providing the reference current reference sub circuit, and the reference source circuit which is connected with the voltage adjusting circuit, connected to the reference source circuit and the voltage adjustment between the sub circuit to ensure stability of the closed-loop negative feedback sub circuit and the voltage regulator circuit with high power supply rejection ratio sub circuit, the promoter circuit starts the high PSRR voltage adjustment circuit, the voltage regulator circuit generates a need to adjust the output voltage. The high power supply rejection increase the high power supply rejection ratio than sub circuit power supply voltage rejection ratio adjustment circuit. The invention improves the power rejection ratio of the high frequency section of the voltage adjustment circuit.

【技术实现步骤摘要】
高电源抑制比电压调整电路
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于模拟电路的高速数字模块的高电源抑制比电压调整电路。
技术介绍
电压调整电路在电源系统乃至整个模拟电路模块中都有着至关重要的作用，相对于普通的电压调整电路，比如LDO、DC-DC等系统所得的基准电压，虽然在低频段具有较好的电源抑制比(PSRR，PowerSupplyRejectionRatio)，但是在高频段并不能满足某些特定系统的需求。在现有技术中，特别是在模拟模块的高速数字系统中对于电压高频段的电源抑制比尤为关注，而现有结构的电压调整电路并不能满足这个要求。因此，有必要提供一种用于模拟电路中的高速数字模块使用的高电源抑制比电压调整电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于模拟电路中的高速数字模块使用的高电源抑制比电压调整电路。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高电源抑制比电压调整电路，包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电源抑制比电压调整电路，其特征在于：所述高电源抑制比电压调整电路包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电路及与所述电压调整子电路相连的高电源抑制比子电路，所述启动子电路启动所述高电源抑制比电压调整电路的工作，所述电压调整子电路产生需要的可以调节的输出电压，所述高电源抑制比子电路提高所述高电源抑制比电压调整电路的电源抑制比。

【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比电压调整电路，其特征在于：所述高电源抑制比电压调整电路包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电路及与所述电压调整子电路相连的高电源抑制比子电路，所述启动子电路启动所述高电源抑制比电压调整电路的工作，所述电压调整子电路产生需要的可以调节的输出电压，所述高电源抑制比子电路提高所述高电源抑制比电压调整电路的电源抑制比。2.根据权利要求1所述的高电源抑制比电压调整电路，其特征在于：所述基准源子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第一场效应管相连的第三场效应管、与所述第二场效应管和所述第三场效应管相连的第四场效应管及与所述第四场效应管相连的第一电阻；所述负反馈子电路包括与所述启动子电路相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述启动子电路相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第二电阻、与所述第八场效应管相连的第三电阻及第四电阻；所述电压调整子电路包括与所述第四电阻相连的第十一场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十二场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十三场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十四场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十三场效应管和所述第十四场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十三场效应管相连的第五电阻、与所述第十五场效应管相连的第六电阻、与所述第十六场效应管相连的第七电阻及与所述第七电阻相连的第十七场效应管；所述高电源抑制比子电路包括与所述第十六场效应管相连的第十八场效应管。3.根据权利要求2所述的高电源抑制比电压调整电路，其特征在于：所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极和漏极及所述第四场效应管的漏极相连，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级、所述第五场效应管的源级、所述第七场效应管的漏极及所述第九场效应管的栅极共同连接所述启动子电路，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极和漏极、所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极、所述第十场效应管的栅极、所述第十五场效应管...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐浩月，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51