用于制造半导体器件的方法及相应的器件技术

一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，这些半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造半导体器件的方法及相应的器件本专利技术涉及一种用于制造半导体芯片的方法。本专利技术还涉及一种用于制造半导体模块的方法。本专利技术最终还涉及半导体芯片和晶圆。为了开发寿命长且鲁棒的功率半导体模块，特别地对半导体的上部和下部连接点(上侧和下侧)具有较高的热要求和电气要求。通常借助于焊接连接或部分地还借助于烧结或扩散焊接连接来接触半导体的下侧。作为标准，半导体的上侧具有针对粗铝线的键合工艺而优化的金属化层或金属层。尽管在半导体的上侧和下侧上存在膨胀密集型金属化层，但是为了降低电气损耗，半导体仍变得越来越薄。目前，市场上存在总厚度为仅约70μm的功率半导体。为了增加芯片上的上侧触点的可靠性，例如根据DE102011115886A1已知的是，在芯片触点上施加金属成形体(铜膜)并在引线键合之前进行烧结。通过使用金属成形体来产生包括上侧电气触点的半导体芯片到粗导线或带的连接而获得的优点具体包括：既非在键合期间，也非通过在前或随后的步骤，存在对形成半导体的电接触结构的薄金属化层造成损坏的风险。例如在对粗导线或带的焊接、钎焊、烧结或超声波焊接中所涉及的热力或机械力至少部分地被金属成形体吸收并因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，该半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：‑将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及‑在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.14 DE 102015113421.71.一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，该半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：-将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及-在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，-该第一连接材料(4)是粘合剂，并且该第二连接材料(5)是焊接材料或烧结材料或者-该第一连接材料(4)是焊料材料，并且该第二连接材料(5)是烧结材料。3.根据以上权利要求之一所述的方法，其特征在于，分离这些半导体芯片(2，3)是在将这些金属成形体(6)安排在该经处理半导体晶圆上之前使用湿切割方法来发生的。4.根据权利要求1和2之一所述的方法，其特征在于，分离这些半导体芯片是在对该第一连接材料(4)进行处理之后使用干切割方法来发生的。5.一种用于制造半导体模块的方法，该半导体模块具有基板(9，10)和半导体芯片(2，3)，该半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：-制造根据以上权利要求之一所述的半导体芯片(2，3)，该半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，-将该半导体芯片(2，3)安排在该基板(9，10)上，同时形成安排在该半导体芯片(2，3)与该基板之间的第三连接材料(11)层，以及-在一个步骤中对安排在该...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·奥斯特瓦尔德，马汀·贝克尔，霍尔格·乌利齐，罗纳德·艾思勒，加赛克·鲁茨基，
申请(专利权)人：丹佛斯硅动力有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE