电容器制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器
本专利技术涉及电容器。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的高密度安装化，要求具有更高的静电电容的电容器。作为这样的电容器，例如在非专利文献1公开了如下的电容器，即，在由碳纳米管构成的多孔体使用原子层沉积法(ALD法：AtomicLayerDeposition)形成Al2O3层作为电介质层，并形成TiN层作为上部电极。在先技术文献非专利文献非专利文献1：Nanotechnology26(2015)064002
技术实现思路
专利技术要解决的课题在非专利文献1中，通过ALD法，使用三甲基铝(TMA)气体以及H2O气体，形成作为电介质的Al2O3层而尝试了电容器的制作。由此得到的电容器的耐压停留在远低于根据电介质的物性可期待的耐压的值，虽然试图通过圆筒状的模型和氧化膜的膜厚来说明其理由，但是未能达到对现象的完全说明。然而，本专利技术的专利技术人们注意到了以下方面。(1)在按照单纯的圆筒模型在多孔体那样的三维微小构造上设计了MIM(metal-insulator-metal，金属-绝缘体-金属)电容器构造的情况下，这样的模型与实际的多孔体的形状的背离大，因而在使用了A...
【技术保护点】
一种电容器，具有：导电性多孔基材，具有多孔部；电介质层，位于多孔部上，包含氧元素以及至少一种金属元素；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，所述多孔部具有1μm/μm
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.12 JP 2015-1595661.一种电容器，具有：导电性多孔基材，具有多孔部；电介质层，位于多孔部上，包含氧元素以及至少一种金属元素；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，所述多孔部具有1μm/μm2以上且16μm/μm2以下的路径积分值以及20％以上且90％以下的空隙率，且用下述式(1)表示的比Z为0.79以上，[数学式1]式中，Od以及Md分别表示通过能量分散型X射线分光法对电介质层进行了分析时的氧元素以及金属元素的信号强度，Or以及Mr分别表示通过能量分散型X射线分光法对具有构成电介质层的氧元素以及至少一种金属元素的化学计量组成的参考物质进行了分析时的氧元素以及金属元素的信号强度。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，在将导电性多孔基材的路径积...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯洋昌，高田美佳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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