A system and method for cutting and drilling in a target substrate are provided in this paper. The system and method use laser (such as pulsed laser) and optical system to generate line focus of laser beam in target substrate such as glass substrate. Laser cutting and drilling system and method using the individual laser pulse generation holes or defects through the entire thickness of glass plate extends in some embodiments, and allows the laser system will target substrate cutting and separating into any desired contour by generating a series of holes formed contour or parts required to shape. Because the glass substrate is brittle, it will crack along with the outline of the hole, allowing the glass substrate to be separated into any required shape defined by the hole.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品相关申请的交叉引用本申请依据35U.S.C.§119要求于2015年7月10日提交的系列号为62/190823的美国临时申请的优先权,本文以该申请的内容为基础并通过引用将其全文纳入本文。背景玻璃相对于传统的晶体硅和有机基材在用作半导体应用中的电插入件(electricalinterposer)基材上具有许多优势。玻璃的一个优势在于,其可被制成大平坦面板的形式—即,被制成远超传统300mm晶片尺寸的尺寸,甚至在一侧上高达数米。玻璃的另一个优势在于玻璃的机械刚性。玻璃的另一个优势在于其高电阻抗。这在较高的频率下特别有用,特别是对于用于高数据传输速率的无线电频率(RF)而言。此外,可通过例如融合成形法来形成具有很平坦且光滑表面的特种玻璃基材,减少或消除了任何对于昂贵抛光步骤的需求。玻璃板的这种低粗糙度或表面品质允许利用密集的(紧密间隔)电轨迹来对其进行图案化。目前,半导体市场被晶体硅占领,而半导体芯片本身则最主要由硅制成。因此,已建成了大量硅晶片的基础设施,而可以像处理硅那样进行处理且可以表现得像硅那样的玻璃可用于已经建成的基 ...
【技术保护点】
一种制造基材板的方法,所述方法包括:将基材设置在激光处理组装件处,所述激光处理组装件包括至少一个可操作发射激光束的激光器,所述基材板对所述激光束基本上透明;沿所述激光束的光束传播方向观察,将所述激光束聚焦成激光束焦线;将所述激光束焦线导入所述基材中,所述激光束焦线在所述基材板内产生感应吸收,所述感应吸收沿所述基材内的所述激光束焦线产生缺陷;相对于所述激光束平移所述基材板,从而在所述基材内激光钻出多个内部缺陷;生成第一多个缺陷和第二多个缺陷,其中,所述第二多个缺陷限定封闭边界,所述第一多个缺陷设置在所述封闭边界内;以及沿由所述第二多个缺陷限定的封闭边界分离所述基材的至少一个组件块。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.10 US 62/190,8231.一种制造基材板的方法,所述方法包括:将基材设置在激光处理组装件处,所述激光处理组装件包括至少一个可操作发射激光束的激光器,所述基材板对所述激光束基本上透明;沿所述激光束的光束传播方向观察,将所述激光束聚焦成激光束焦线;将所述激光束焦线导入所述基材中,所述激光束焦线在所述基材板内产生感应吸收,所述感应吸收沿所述基材内的所述激光束焦线产生缺陷;相对于所述激光束平移所述基材板,从而在所述基材内激光钻出多个内部缺陷;生成第一多个缺陷和第二多个缺陷,其中,所述第二多个缺陷限定封闭边界,所述第一多个缺陷设置在所述封闭边界内;以及沿由所述第二多个缺陷限定的封闭边界分离所述基材的至少一个组件块。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基材选自下组:玻璃基材板、玻璃-陶瓷基材板、熔凝硅石和蓝宝石板。3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第二多个缺陷的各缺陷之间具有小于约20um的间距。4.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一多个缺陷的直径小于约10um,且在深度上延伸大于约100um。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括对所述第一多个缺陷进行蚀刻以扩大所述第一多个缺陷。6.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一多个缺陷包含直径在约10um至约120um之间且延伸穿过所述基材的孔。7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括对延伸穿过所述基材的所述第一多个缺陷孔进行金属化。8.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,沿由第二多个外部缺陷限定的边界分离组件块的操作沿所述组件块的至少一侧提供锯齿状边缘。9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述锯齿状边缘由所述封闭边界的所述第二多个缺陷形成,其中,所述锯齿的幅度小于约10um,且所述锯齿的间距小于约20um。10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,使用红外激光来进行沿由多个外部缺陷限定的边界分离组件块的操作。11.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在生成所述第二多个缺陷的操作之前进行生成所述第一多个缺陷的操作。12.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在生成所述第一多个缺陷的操作之前进行生成所述第二多个缺陷的操作。13.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,调整第一光学头以提供所述第一多个缺陷,调整第二光学头以提供所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·M·克拉克,J·T·基奇,G·A·皮切,K·A·威尔兰,
申请(专利权)人:康宁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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