一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于对存在像素驱动电路断路缺陷的阵列基板进行有效修复。所述阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设有待修复像素单元以及与待修复像素单元相邻排布的相邻像素单元，待修复像素单元设有断路修复结构，所述断路修复结构包括与相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极连接的修复线；其中，修复线与待修复像素单元中的OLED阳极绝缘，且修复线在衬底基板的正投影，与待修复像素单元中的OLED阳极在衬底基板的正投影具有重合区；断路修复点位于所述重合区。本实用新型专利技术提供的阵列基板用于AMOLED显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称为OLED)，特别是有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixOrganicLightEmittingDiode，简称为AMOLED)，因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。目前，在采用AMOLED的阵列基板中，呈阵列状设置有多个像素单元，其中，同一行的各像素单元共用一条栅线，同一列的各像素单元共用一条数据线。每个像素单元包括OLED以及与OLED阳极连接的像素驱动电路；所述像素驱动电路的电路原理图如图1所示，该像素驱动电路包括开关用薄膜晶体管T1、驱动用薄膜晶体管T2以及存储电容；开关用薄膜晶体管T1的栅极与栅线Gate连接，开关用薄膜晶体管T1的源极与数据线Data连接，开关用薄膜晶体管T1的漏极分别与驱动用薄膜晶体管T2的栅极以及存储电容的一个极板C1连接，驱动用薄膜晶体管T2的源极分别与存储电容的另一个极板C2以及电源线Vdd连接，驱动用薄膜晶体管T2的漏极与OLED的阳极连接。然而，各像素单元中像素驱动电路的结构较为复杂，使得各像素单元所在阵列基板的制备工艺也较为复杂，导致在阵列基板的制备过程中，难免产生像素驱动电路中部分接线断路的缺陷。此时对于具有复杂结构的像素驱动电路，采用现有的故障检测技术往往难以精确判断出其断路点的位置，导致目前无法对存在像素驱动电路断路缺陷的阵列基板进行有效修复。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，以便对存在像素驱动电路断路缺陷的阵列基板进行有效修复。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术的第一方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上设有待修复像素单元以及与待修复像素单元相邻排布的相邻像素单元，待修复像素单元设有断路修复结构，所述断路修复结构包括与相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极连接的修复线；其中，修复线与待修复像素单元中的OLED阳极绝缘，且修复线在衬底基板的正投影，与待修复像素单元中的OLED阳极在衬底基板的正投影具有重合区；断路修复点位于所述重合区。与现有技术相比，本技术提供的阵列基板具有如下有益效果：本技术提供的阵列基板，在待修复像素单元中设置断路修复结构，断路修复结构包括与相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极连接的修复线；将修复线与待修复像素单元中的OLED阳极绝缘设置，且使得修复线在衬底基板的正投影，与待修复像素单元中的OLED阳极在衬底基板的正投影具有重合区，这样待修复像素单元的断路修复点将位于该重合区。当待修复像素单元中的像素驱动电路出现断路缺陷时，在断路修复点将待修复像素单元中的OLED阳极与修复线连接，便能够利用待修复像素单元中的OLED阳极和修复线，实现待修复像素单元中OLED阳极与相邻像素单元中驱动用薄膜晶体管漏极的连接，此时在出现像素驱动电路断路缺陷的待修复像素单元中，其OLED能被相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管进行驱动，从而确保阵列基板的正常使用。可见，本技术在待修复像素单元设置断路修复结构，可以对存在像素驱动电路断路缺陷的阵列基板进行有效修复。基于上述阵列基板的技术方案，本技术的第二方面提供一种显示装置，所述显示装置包括上述技术方案所提供的阵列基板。与现有技术相比，本技术提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的阵列基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为现有技术中像素驱动电路的电路原理图；图2为本技术实施例一提供的阵列基板的俯视示意图；图3为本技术实施例一提供的阵列基板的A-A’剖视示意图；图4为本技术实施例二提供的阵列基板的俯视示意图；图5为本技术实施例二提供的阵列基板的B-B’剖视示意图。附图标记：1-衬底基板，2-开关用薄膜晶体管，21-开关用薄膜晶体管的漏极，22-开关用薄膜晶体管的源极，23-开关用薄膜晶体管的栅极，3-驱动用薄膜晶体管，31-驱动用薄膜晶体管的漏极，32-驱动用薄膜晶体管的源极，33-驱动用薄膜晶体管的栅极，34-驱动用薄膜晶体管的有源层，4-OLED，41-OLED阳极，42-OLED发光层，43-OLED阴极，5-断路修复结构，51-阳极延伸线，52-修复线，6-栅线，7-数据线，8-凹槽，Vdd-电源线，C1-第一极板，C2-第二极板，11-栅绝缘层，12-层间绝缘层，13-钝化层，14-平坦化层，15-像素界定层，X-断路修复点。具体实施方式为便于理解，下面结合说明书附图，对本技术实施例提供的阵列基板及显示装置进行详细描述。实施例一：请参阅图2-图3，本技术实施例一提供的阵列基板，包括衬底基板1，衬底基板1上设有待修复像素单元以及与待修复像素单元相邻排布的相邻像素单元；待修复像素单元设有断路修复结构5，断路修复结构5包括与相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管3的漏极31连接的修复线52；其中，修复线52与待修复像素单元中的OLED阳极41绝缘，且修复线52在衬底基板1的正投影，与待修复像素单元中的OLED阳极41在衬底基板1的正投影具有重合区；断路修复点X位于所述重合区。需要说明的是，上述待修复像素单元与相邻像素单元均属于同一种像素单元，二者具有相同的结构和功能，对其进行待修复和相邻的划分只是为了清楚说明阵列基板的具体结构，即，将可能需要断路修复的目标像素单元限定为待修复像素单元，而将相邻设在待修复像素单元四周的其他像素单元限定为相邻像素单元，此外并无其他实质限定。可以理解的是，上述待修复像素单元中设有OLED阳极41，说明设有待修复像素单元的阵列基板应为OLED基板，即该阵列基板的各像素单元均对应设有OLED4，以及与OLED阳极41连接的像素驱动电路。其中，OLED4可以为顶发光OLED、底发光OLED或两面发光OLED中任意一种；OLED4的像素驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管。当像素驱动电路包括一个薄膜晶体管时，该薄膜晶体管为驱动用薄膜晶体管3；当像素驱动电路包括多个薄膜晶体管时，驱动用薄膜晶体管3是指其漏极31与OLED阳极41连接的薄膜晶体管，驱动用薄膜晶体管3的漏极31与OLED阳极41也可以是电性连接。示例性的，请参阅图2，本实施例一中，OLED4的像素驱动电路包括开关用薄膜晶体管2和驱动用薄膜晶体管3两个薄膜晶体管；开关用薄膜晶体管2的栅极23与栅线6连接，开关用薄膜晶体管2的源极22与数据线7连接，开关用薄膜晶体管2的漏极21分别与驱动用薄膜晶体管3的栅极33以及存储电容的第一极板C1连接，驱动用薄膜晶体管3的源极32分别与存储电容的第二极板C2以及电源线Vdd连接，驱动用薄膜晶体管3的漏极31与OLED的阳极41连接。其中，栅线6和数据线7均可采用铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)以及钨(W)等金属材料或其合金材料中的一种或几种制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设有待修复像素单元以及与所述待修复像素单元相邻排布的相邻像素单元，所述待修复像素单元设有断路修复结构，所述断路修复结构包括与所述相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极连接的修复线；所述修复线与所述待修复像素单元中的OLED阳极绝缘，且所述修复线在所述衬底基板的正投影，与所述待修复像素单元中的OLED阳极在所述衬底基板的正投影具有重合区；断路修复点位于所述重合区。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设有待修复像素单元以及与所述待修复像素单元相邻排布的相邻像素单元，所述待修复像素单元设有断路修复结构，所述断路修复结构包括与所述相邻像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极连接的修复线；所述修复线与所述待修复像素单元中的OLED阳极绝缘，且所述修复线在所述衬底基板的正投影，与所述待修复像素单元中的OLED阳极在所述衬底基板的正投影具有重合区；断路修复点位于所述重合区。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述相邻像素单元为所述待修复像素单元的同列相邻行像素单元；所述修复线为所述同列相邻行像素单元中的驱动用薄膜晶体管的漏极延伸线。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极延伸线在所述衬底基板的正投影，与所述待修复像素单元中的OLED阳极的阳极延伸线在所述衬底基板的正投影，具有重合区。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极延伸线面向所述阳极延伸线的表面层叠设置钝化层和平坦化层；所述平坦化层对应所述断路修复点的区域设置凹槽，所述阳极延伸线覆盖所述凹槽。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，同一行的所述待修复像素单元对应同一条栅线；所述修复线在所述衬底基板的正投...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11