阵列基板及其制造方法技术

提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、缓冲层(40)和金属层(50)；对所述金属层(50)及所述缓冲层(40)进行图案化处理，以在所述金属层(50)上形成源极(51)、漏极(52)及介于二者之间的沟道(53)，所述缓冲层(40)部分露出于所述沟道(53)；对露出所述沟道(53)部分的缓冲层(40)进行半导体化处理，以在沟道(53)内形成半导体区域(41)。上述制造方法省去了传统阵列基板结构中的金属氧化物半导体层，降低了制作成本。此外，在形成沟道过程中无需蚀刻缓冲层，简化了蚀刻流程，从而减小了蚀刻难度，进一步降低了阵列基板的制造成本。

Array substrate and its manufacturing methods

To provide a method for manufacturing an array substrate, which comprises the following steps: (10) in the substrate are sequentially formed on the gate (20), a gate insulating layer (30), (40) buffer layer and a metal layer (50); the metal layer (50) and the buffer layer (40) patterned treatment on the metal layer (50) formed on the source drain (51), (52) and between the two channel (53), the buffer layer (40) exposed part of the channel (53); to reveal the channel (53) buffer layer part (40) of semiconductor processing, in the channel (53) formed in a semiconductor region (41). The above manufacturing method saves the metal oxide semiconductor layer in the traditional array substrate structure, and reduces the production cost. Besides, the buffer layer is not needed to form the channel, which simplifies the etching process, thereby reducing the difficulty of etching, and further reducing the manufacturing cost of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板被广泛应用于不同类型的显示装置中。现有技术的阵列基板中，将源漏极层形成于半导体层之上。源漏极层包括金属层和导体缓冲层，金属层与半导体层之间通过导体缓冲层隔开。这样设置的目的在于防止源极漏极层中的金属层扩散至半导体层中，减少金属层与半导体层之间的接触阻抗，避免造成金属穿刺等不良。在阵列基板上形成沟道过程中，就需要依次对金属层和导体缓冲层进行蚀刻，以露出所述金属半导体层。因此，现有技术中的蚀刻过程复杂、难度较大，造成阵列基板的制造成本居高不下。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，可以简化蚀刻流程，降低阵列基板的制作成本。本申请的另一目的在于提供一种上述制造方法制造的阵列基板。为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层；对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道；对露出所述沟道部分的导体缓冲层进行半导体化处理，以在沟道内形成半导体区域。其中，所述对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道步骤中包括：在所述金属层上涂覆光刻胶；提供一多灰阶掩膜版，利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化，以在所述光刻胶上形成半曝光区域；以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层及导体缓冲层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层及导体缓冲层具有源极和漏极图案；将所述光刻胶的所述半曝光区域转化为全曝光区域；蚀刻所述蚀刻后的金属层之露出于所述全曝光区域的部分，以形成沟道并露出所述导体缓冲层。其中，对所述导体缓冲层进行半导体化处理，以在所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分形成半导体区域步骤中包括：以所述光刻胶为遮蔽层，对所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分进行等离子处理或高温氧化气氛处理，以使得所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分形成所述半导体区域。其中，所述方法还包括在所述半导体区域形成后，通过灰化处理或湿法蚀刻去除所述光刻胶。其中，所述将所述光刻胶的所述半曝光区域转化为全曝光区域步骤中，包括对所述光刻胶进行灰化处理，使得所述半曝光区域转化为所述全曝光区域。其中，所述以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层及导体缓冲层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层及导体缓冲层具有源极和漏极图案步骤中，包括蚀刻液对所述金属层及导体缓冲层进行蚀刻。其中，所述蚀刻液可以选用H2O2、金属螯合剂或有机酸。其中，所述多灰阶掩膜版为半色调掩膜版或灰色调掩膜版。其中，所述在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层步骤中，包括在栅绝缘层上通过溅射或热蒸发的方法沉积导体缓冲层。其中，所述在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层步骤中，包括通过PECVD方法沉积所述栅极绝缘层。本申请还提供一种阵列基板，其中，包括依次层叠设置于基板的栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层，其中，所述导体缓冲层包括半导体区域和导体区域，所述金属层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间设有沟道，所述源极及所述漏极正对所述导体区域，所述半导体区域露出于所述沟道。其中，所述导体缓冲层材料为金属氧化物。其中，所述金属氧化物为IGZO。其中，所述金属层采用铜或铜合金材料制成。本申请实施例具有如下优点或有益效果：本申请的阵列基板的制造方法中，在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，导体缓冲层部分露出于所述沟道，对所述导体缓冲层进行半导体化处理，以在所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分形成半导体区域，所述源极和所述漏极之间依次经过导体区域和半导体区域电性连接，从而省去了传统阵列基板结构中的金属氧化物半导体层，降低了制作成本。此外，在形成沟道过程中无需蚀刻导体缓冲层，简化了蚀刻流程，从而减小了蚀刻难度，进一步降了低阵列基板的制造成本。本申请的阵列基板能够降低制造成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。图2-图8为图1的所示制造方法的过程示意图。图9为本申请实施例提供的阵列基板。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请以下实施例中所采用的序数限定词，第一、第二等仅是为了清楚地说明本申请中相似的特征的区别性的用语，不代表相应的特征的排列顺序或者使用顺序。本申请的制造方法生产出的阵列基板可以应用于液晶显示屏或者有机显示屏中。本申请实施例涉及的柔性显示屏用于但不限于手机、平板电脑、掌上电脑、个人数字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)或电子阅读器等，本申请实施例对此不作具体限定。请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。本申请提供的制造方法主要包括如下步骤：步骤S001：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层。具体的，请结合参阅图2。所述基板10为透明玻璃基板，在所述基板10上沉积第一金属薄膜。所述第一金属薄膜可以选用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。通过构图工艺利用普通光阻层形成栅线(图未示出)、公共电极线(图未示出)和栅极20的图形。然后在此基础上通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)方法沉积栅极绝缘层30，栅极绝缘层30可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物等。然后，在栅绝缘层上通过溅射或热蒸发的方法沉积导体缓冲层40，导体缓冲层40可以是采用IGZO(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物制成。优选的，可以选用IGZO材料制成。接着，在所述导体缓冲层40上采用溅射或热蒸发的方法形成金属层50。所述导体缓冲层40的作用在于防止金属层50与半导体区域(如图5中标号41)直接接触，造成金属层50中的金属扩散到半导体区域中，避免造成金属穿刺等不良，从而提升阵列基板性能。步骤S002：对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道。具体的，步骤S002具体包括步骤S0021-S0025：步骤S0021：在所述金属层50上涂覆光刻胶60；步骤S0022：提供一多灰阶掩膜版，利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层；对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道；对露出所述沟道部分的导体缓冲层进行半导体化处理，以在沟道内形成半导体区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、导体缓冲层和金属层；对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道；对露出所述沟道部分的导体缓冲层进行半导体化处理，以在沟道内形成半导体区域。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述金属层及所述导体缓冲层进行图案化处理，以在所述金属层上形成源极、漏极及介于二者之间的沟道，所述导体缓冲层部分露出于所述沟道步骤中包括：在所述金属层上涂覆光刻胶；提供一多灰阶掩膜版，利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化，以在所述光刻胶上形成半曝光区域；以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层及导体缓冲层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层及导体缓冲层具有源极和漏极图案；将所述光刻胶的所述半曝光区域转化为全曝光区域；蚀刻所述蚀刻后的金属层之露出于所述全曝光区域的部分，以形成沟道并露出所述导体缓冲层。3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述导体缓冲层进行半导体化处理，以在所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分形成半导体区域步骤中包括：以所述光刻胶为遮蔽层，对所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分进行等离子处理或高温氧化气氛处理，以使得所述导体缓冲层之露出于所述沟道部分形成所述半导体区域。4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述半导体区域形成后，通过灰化处理或剥离法去除所述光刻胶。5.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文辉，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44