有热AWG芯片的封装方法及其封装结构技术

本发明专利技术涉及光电通信技术领域，具体公开了一种有热AWG芯片的封装方法及其封装结构，该方法包括步骤a：将筛选出的温度不合格且已切成单粒的AWG芯片与输入/输出光纤阵列耦合；步骤b：在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域沿任意角度直线切割，将AWG芯片切开成两段；步骤c：把切断的AWG芯片两部分重新耦合，保证AWG芯片的中心波长偏移ITU波长在移ITU波长(T1‑T2)×0.011nm之间；步骤d：在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率等同的匹配液，并对切缝两边的AWG芯片进行定位固定；步骤e：将上述整个组件用导热胶粘在加热器上。本发明专利技术通过合理利用温度超标的AWG芯片进行封装，可以极大的提高AWG芯片的利用率，降低产品成本。

Encapsulation method and packaging structure of hot AWG chip

The invention relates to the field of optical communication technology, in particular discloses a packaging method of thermal AWG chip and its package structure, the method comprises the following steps: a will filter out the temperature not qualified and have been cut into the AWG chip and the input / output of single fiber array coupling; step B: any angle along the straight line cutting at the input end or the output waveguide region of AWG chip, AWG chip will be cut into two sections; step C: the AWG chip off the two part re coupling, ensure AWG chip ITU wavelength shift of the center wavelength shift in the wavelength of ITU (T1 T2) * 0.011nm; step D: joints in AWG chip coupling good cutting, filling the refractive index matching liquid equivalent, and the slit chip AWG on both sides of the fixed position; step e: the whole assembly with the heat conduction adhesive on the heater. The invention can greatly improve the utilization rate of the AWG chip and reduce the product cost by reasonably using the AWG chip of the temperature exceeding the standard.

【技术实现步骤摘要】
有热AWG芯片的封装方法及其封装结构
本专利技术涉及光电通信
，尤其涉及一种芯片的封装方法及其新的封装结构。
技术介绍
随着现在光网络的容量的不断扩展，阵列波导光栅(AWG：ArrayedWaveguideGrating)型的密集波分复用/解复用器，在骨干网和城域网中的应用越来越广泛。利用硅基二氧化硅技术制作的AWG，由于二氧化硅的折射率和尺寸都随温度的变化而改变，会导致AWG芯片在阵列波导中传输的同一波长的相位差发生变化，最终使得AWG各个输出通道的波长随温度而改变，变化值约11pm/℃，中心波长的偏移会导致插入损耗，带宽和隔离度等指标改变。为了保证而应用于可重构光分插复用器(ROADM：ReconfigurableOpticalAdd-DropMultiplexer)和光可调波分复用器(VMUX)等产品中的AWG的正常运行，通常会给它增加一个温度反馈式电路和加热器，使得AWG芯片恒温工作在某个特定温度下，一般为65℃至85℃之间，从而使得AWG芯片的各个通道波长稳定工作在ITU波长。现有技术有热AWG的封装工艺中，通常将AWG晶元(Wafer)沿指定的直线切成长条型，然后在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a：将筛选出的温度不合格且已切成单粒的AWG芯片与输入/输出光纤阵列耦合形成一子组件；步骤b：在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域，沿任意角度直线切割，将AWG芯片切开成两段；步骤c：把切断的AWG芯片两部分重新耦合，耦合环境温度为T1，调节切缝两侧的平板波导，保证AWG芯片的中心波长偏移ITU波长在(T1‑T2)×0.011nm，其中T2为芯片的工作温度；步骤d：在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率等同的匹配液，并对切缝两边的AWG芯片进行定位固定；步骤e：将上述整个组件用导热胶粘在加热器上。

【技术特征摘要】
1.一种有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a：将筛选出的温度不合格且已切成单粒的AWG芯片与输入/输出光纤阵列耦合形成一子组件；步骤b：在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域，沿任意角度直线切割，将AWG芯片切开成两段；步骤c：把切断的AWG芯片两部分重新耦合，耦合环境温度为T1，调节切缝两侧的平板波导，保证AWG芯片的中心波长偏移ITU波长在(T1-T2)×0.011nm，其中T2为芯片的工作温度；步骤d：在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率等同的匹配液，并对切缝两边的AWG芯片进行定位固定；步骤e：将上述整个组件用导热胶粘在加热器上。2.如权利要求1所述的有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，所述步骤b还包括步骤b1.1：将步骤a中的子组件粘在一基板上；步骤b1.2：在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域，沿任意角度直线切割，将AWG芯片和基板同时切开成两段。3.如权利要求2所述的有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，所述基板为硅片基板、Pyrex耐热玻璃基板或Invar基板。4.如权利要求2所述的有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，所述步骤d包括步骤d1.1：在耦合好的芯片的切缝处填充折射率匹配的紫外胶水；步骤d1.2：在基板的切缝处盖上两块Pyrex耐热玻璃，并用紫外胶水固定。5.如权利要求1所述的有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，所述步骤d还包括步骤d2.1：在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率匹配的紫外胶水；步骤d2.2：在切缝上方盖一块Pyrex耐热玻璃，周围点紫外胶水...

【专利技术属性】
技术研发人员：李素霞，张汛，
申请(专利权)人：深圳新飞通光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44