针对电流驱动光学介质的控制组件制造技术

本发明专利技术涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件，例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件。在控制组件内的单独导电层中设置附加电极，以便添加耦合到控制组件的栅电极的单独电容(C2)，以补充已经耦合在栅电极和源电极之间的电容(C1)。

Control components for current driven optical media

The invention relates to a control component for a current driven optical medium, for example, a control component including a thin film transistor (TFT) for driving pixels of an active matrix photoelectron device. An additional electrode is set up in the separate conductive layer of the control component to add a separate capacitance (C2) coupled to the gate electrode of the control component to supplement the capacitance (C1) that has been coupled between the gate electrode and the source electrode.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对电流驱动光学介质的控制组件
本专利技术涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件，例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的多层电子结构控制组件。
技术介绍
通常使用玻璃作为衬底来加工高分辨率AMOLED显示器，其中在所述衬底上沉积多个用于驱动像素电极的晶体管结构。图1和图2中示意性地示出了普通晶体管结构(不按比例)：图1示出了顶栅极配置；图2示出了底栅极配置。图1和图2中的每一个示出了用于驱动像素电极的2T1C(两个晶体管，1个电容器)结构的晶体管(尽管其它结构也是可能的)。也可以通过在金属化之前蚀刻下方的电介质层来实现连接到像素电极的最右侧的通孔，使得ML3将与ML1融合。在图1中，第一晶体管(5)包括在第一导电层(ML1)中的源电极(2)和漏电极(3)。栅电极(4)位于第二导电层(ML2)中。ML1和ML2被一个或多个电介质或半导体层分开。通常以形成导电岛状物(可选地通过不同层上的通孔或其它装置连接)的方式来图案化导电层，从而产生具有期望功能的电子器件和电路。第二晶体管(9)包括在第一导电层(ML1)中的源(6)电极和漏(7)电极以及在第二导电层(ML本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C1)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；所述导电层中的第三导电层被布置成与所述像素电极或半导体沟道相比更强烈地电容性耦合到所述源电极或所述栅电极...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.22 GB 1506878.61.一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C1)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；所述导电层中的第三导电层被布置成与所述像素电极或半导体沟道相比更强烈地电容性耦合到所述源电极或所述栅电极，其中，通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C2)的第一板，并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C2)的第二板，所述第二电容器(C2)向所述栅电极提供附加存储电容。2.根据权利要求1所述的控制组件，其中所述TFT是顶栅极配置TFT，其中所述源/漏电极在所述导电层中的第一导电层中，并且其中所述栅电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。3.根据权利要求2所述的控制组件，其中通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第二导电层的上方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的上方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。4.根据权利要求3所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述源电极。5.根据权利要求4所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。6.根据权利要求4或5所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于包括所述多个像素电极的区域之外。7.根据权利要求4、5或6所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于所述TFT的结构内。8.根据权利要求3所述的控制组件，其中，所述第二电容器的第一板连接到辅电压源。9.根据权利要求8所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述辅电压源之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述辅电压源或将所述第一板与所述辅电压源断开连接。10.根据权利要求4至9中任一项所述的控制组件，其中，所述第三导电层包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格，并且其中所述栅格中的孔被布置成允许通孔从所述第三层下方的层穿到所述第三层上方的层。11.根据权利要求10所述的控制组件，其中，连接总线设置在包括所述多个像素电极的区域之外，且其中所述第二电容器的所述多个第一板连接到所述连接总线。12.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪济亚诺·阿戈斯蒂内利，布拉格·亚格里奥古，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB