The invention provides a preparation method of a ruthenium sputtering target, which comprises the following steps: the particle size is less than or equal to 325 to ruthenium powder cold pressing, cold pressure is 250 ~ 350MPa, get the ruthenium ruthenium billet billet; vacuum to 0.008 ~ 0.12Pa to 10~20 DEG C /min is heated to 790~820 DEG C, holding 30 to 50min, and then to 5~10 DEG /min temperature to a first temperature pressure, the pressure is 50 ~ 70MPa; continue to heat up to second temperature, holding 120 ~ 180min; the first temperature is 1000~1200 DEG C, second temperature is 1200~1350 DEG to 5~8 DEG /min; finally cooled to 1000~1100 DEG C, holding for 55 ~ 65min, remove the pressure. Get the ruthenium sputtering target. The invention has a high density of ruthenium sputtering target obtained under the above process. The relative density is more than 99.5%.
【技术实现步骤摘要】
一种钌溅射靶材的制备方法
本专利技术涉及钌靶
，尤其涉及一种钌溅射靶材的制备方法。
技术介绍
溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。钌溅射靶材是垂直磁记录多层膜结构中重要的材料，热压法制备钌靶具有易成型、周期短和设备简单等优点，因此常用于制备钌溅射靶材。专利“一种钌金属溅射靶材的制备方法”，申请号：201010581909.2，采用热压法，直接用钌粉末热压出相对密度大于98％的钌靶材。靶材密度越大，越有利于溅射镀膜，因此要获得高质量的溅射薄膜，溅射靶材的密度一般越大越好。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种钌溅射靶材的制备方法，该方法制备的钌溅射靶材的密度较高。本专利技术提供了一种溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将粒度≤325目的钌粉冷压成型，冷压压力为250～350MPa，得到钌坯；将所述钌坯进行抽真空至0.008～0.12Pa后以...
【技术保护点】
一种钌溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将粒度≤325目的钌粉冷压成型，冷压压力为250～350MPa，得到钌坯；将所述钌坯进行抽真空至0.008～0.12Pa后以10～20℃/min升温至790～820℃，保温30～50min后，再以5～10℃/min升温至第一温度加压，加压压力为50～70MPa；继续升温至第二温度，保温120～180min；第一温度为1000～1200℃，第二温度为1200～1350℃；最后以5～8℃/min降温至1000～1100℃，保温55～65min，得到钌溅射靶材。
【技术特征摘要】
1.一种钌溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将粒度≤325目的钌粉冷压成型，冷压压力为250～350MPa，得到钌坯；将所述钌坯进行抽真空至0.008～0.12Pa后以10～20℃/min升温至790～820℃，保温30～50min后，再以5～10℃/min升温至第一温度加压，加压压力为50～70MPa；继续升温至第二温度，保温120～180min；第一温度为1000～1200℃，第二温度为1200～1350℃；最后以5～8℃/min降温至1000～1100℃，保温55～65min，得到钌溅...
【专利技术属性】
技术研发人员：文崇斌，朱刘，于金凤，余芳，曾成亮，程其兵，
申请(专利权)人：清远先导材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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