【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种剥离方法、半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。注意,本说明书等中的半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路、显示装置、发光装置、输入装置、输入输出装置、运算装置及存储装置等都是半导体装置的一个方式。另外,摄像装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
已知应用有机EL(ElectroLuminescence:电致发光)元件或液晶元件的显示装置。作为显示装置的一个例子,还可以举出具备发光二极管(LED:LightEmittingDiode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机 ...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;以及使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离,其中,所述第一材料层包含含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体,所述第二材料层包含树脂,并且,通过切断氢键来使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。
【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-170378;2016.09.06 JP 2016-173341.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;以及使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离,其中,所述第一材料层包含含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体,所述第二材料层包含树脂,并且,通过切断氢键来使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一材料层以所述第一材料层与所述第二材料层的密接性低于所述第一材料层与所述衬底的密接性的方式形成。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中所述第二材料层和所述含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体形成所述氢键。4.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;对层叠的所述第一材料层与所述第二材料层进行加热;使水析出在所述第一材料层与所述第二材料层的界面或所述界面附近;以及使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离,其中,所述第一材料层包含含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体,所述第二材料层包含树脂,并且,在使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离的步骤中,所述第一材料层与所述第二材料层间的密接性因存在于所述界面或所述界面附近的水而降低而使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一材料层以包含钛、钼、铝、钨、硅、铟、锌、镓、钽和锡中的一个或多个的方式形成。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一材料层以具有钛与氧化钛的叠层结构的方式形成。7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其中所述第二材料层以包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域的方式形成。8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其中所述第二材料层以包括由式(100)表示的化合物的残基的方式形成:9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,佐藤将孝,保本清治,熊仓佳代,井户尻悟,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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