一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法技术

本发明专利技术提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，包括下列步骤：将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸。本发明专利技术提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，针对高深宽比的层次，当像素尺寸逐渐减小，目标线宽减小的情况下，采用双重图形技术结合PSM光罩的工艺方式，增加2D图形的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法。
技术介绍
目前在工艺中有深宽比超过10:1的光刻层，该层次的用途是像素区的隔离，当像素区离子注入剂量越大，器件的功能就会越强；同时该层次也是沿着”摩尔定律”发展的代表层次，业界推动的三个主要方向：像素尺寸缩小，关键尺寸缩小，光刻胶加厚。目前现有产品的该层次图形结构为2D的DOT图形，重复的DOT间的空间为像素区域的关键图形，以目前的光阻厚度，深宽比已大于10：1，以目前工艺的光阻厚度，用2次曝光的曝光方式，光刻的工艺窗口已达极限并偶尔会出现光刻工艺窗口不够导致的生产线的异常。根据客户对该层次的工艺开发要求，当像素尺寸继续减小时，以DOT的图形结构更容易造成图形倒塌的情况，即光刻工艺窗口不足。
技术实现思路
本专利技术提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，针对高深宽比的层次，当像素尺寸逐渐减小，目标线宽减小的情况下，采用双重图形技术结合PSM光罩的工艺方式，增加2D图形的工艺窗口。为了达到上述目的，本专利技术提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，包括下列步骤：将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸，所述光罩为2D点图形光罩。进一步的，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口关键尺寸相同。进一步的，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分通过定位误差方法控制。进一步的，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的光罩采用2D图形的PSM光罩。本专利技术提出的增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，通过双重图形的工艺方式，将1层2D图形改为2层2D图形，并运用PSM光罩来达到像素尺寸减小，线宽减小的目的。本专利技术增加了光刻的工艺窗口，减少了2D图形在小像素尺寸下图形倒塌的风险。附图说明图1所示为本专利技术较佳实施例的增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法流程图。图2所示为现有技术一次成型的2D图形结构示意图。图3所示为本专利技术采用两次光刻处理的结构示意图。图4所示为本专利技术采用PSM光罩和现有技术采用BIM光罩的对比图。具体实施方式以下结合附图给出本专利技术的具体实施方式，但本专利技术不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图1，图1所示为本专利技术较佳实施例的增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法流程图。本专利技术提出一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，包括下列步骤：步骤S100：将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；步骤S200：利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；步骤S300：利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸，所述光罩为2D点图形光罩。图2所示为现有技术一次成型的2D图形结构示意图。2D图形在小像素尺寸下(0.7*1.4um)发生图形倒塌。图3所示为本专利技术采用两次光刻处理的结构示意图。根据本专利技术较佳实施例，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口关键尺寸相同。进一步的，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分通过定位误差方法控制。所述第一次光刻处理和第二次光刻处理为2D图形光刻处理。本专利技术利用双重图形技术的工艺在原有一次成型的2D图形的基础上，拆分成2块光罩的图形，在本专利技术较佳实施例中，当工艺要求达到像素尺寸0.7*1.4um时，可以拆分成2层1.4*2.8um的光罩进行组合。相当于将像素尺寸变大，增加了光刻的工艺窗口，减少了2D图形在小像素尺寸下图形倒塌的风险。图4所示为本专利技术采用PSM光罩和现有技术采用BIM光罩的对比图。所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的光罩采用2D图形的PSM光罩。图中BIM光罩的结构具有光阻Photo-resist，AR-Cr薄膜，石英Quartz，PSM光罩的结构有光阻Photo-resist，AR-Cr薄膜，MoSi薄膜和石英Quartz，在光刻处理中分别为在玻璃Glass设置BIM光罩(双光强度光罩)和PSM光罩(相位移光罩)，反应在晶圆上的光照强度(Intensityatwafer)如图4所示，最终在晶圆上形成的图形显示采用PSM光罩后的图形没有倒塌。在双重图形技术的前提下，线宽需要继续减小(即深宽比变大)，故将原有的BIM光罩改为PSM光罩，PSM光罩具有更好的图形解析度，最终实现像素尺寸减小，线宽减小(深宽比增大)且工艺窗口达到了量产的要求(DOF&EL)。例如在本专利技术较佳实施例中，现有一次成型的2D图形，深宽比为12：1(最小线宽260nm，光阻厚度3200nm)，运用该技术后，深宽比可以达到16：1以上。本专利技术根据业界的工艺经验，运用双重图形技术的方式将该层次拆分成2次光刻，实现以2次大像素尺寸的2D图形最终组合成小像素尺寸的方式。为了增大小线宽下的工艺窗口，采用了PSM光罩进行工艺开发，相对于BIM光罩，PSM光罩具有更好的解析度，通过实验验证，运用该技术可以将2D图形的线宽做到客户的要求，深宽比可以达到16：1以上，目前该技术已在客户的产品wafer上进行验证并得到了良好的反馈。综上所述，本专利技术提出的增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，通过双重图形的工艺方式，将1层2D图形改为2层2D图形，并运用PSM光罩来达到像素尺寸减小，线宽减小的目的。本专利技术增加了光刻的工艺窗口，减少了2D图形在小像素尺寸下图形倒塌的风险。虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括下列步骤：将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸，所述光罩为2D点图形光罩。

【技术特征摘要】
1.一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括下列步骤：将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；利用光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；利用光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；其中，所述第一次光刻处理和第二次光刻处理的工艺窗口叠加部分为工艺要求的关键尺寸，所述光罩为2D点图形光罩。2.根据权利要求1所述的增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱琪，王晓龙，李德建，吴鹏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31