石墨烯层的形成方法技术

一种石墨烯层的形成方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。

The formation of graphene layer

A method for the formation of a graphene layer includes the deposition of the first material layer on the first substrate, and the deposition of the graphene layer above the first material layer. The method also includes: the amorphous silicon layer is deposited on the graphene layer, and the amorphous silicon layer is combined to the second substrate to form a component. The method also comprises the following steps: annealing the component so that the amorphous silicon layer is transformed into a silicon oxide layer. The forming method of the graphene layer also includes: removing the first substrate from the components, and removing the first material layer from the components, thereby exposing the graphene layer.

【技术实现步骤摘要】
石墨烯层的形成方法
本专利技术的实施例涉及一种石墨烯层的形成方法。
技术介绍
随着半导体产业进展到追求更高装置密度、更高性能及更低成本的纳米技术，已对半导体制造中使用的光刻工具提出了更严格的要求。已利用例如极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻等技术来支持更小集成电路(IC)装置的临界尺寸(criticaldimension，CD)需求。极紫外光刻使用波长为约1纳米至100纳米(例如13.5纳米)的极紫外区中的辐射，所述波长比深紫外(deepultraviolet，DUV)光刻(例如，193纳米光刻)中的波长短得多。极紫外光刻使用朝向目标物(例如硅晶片)反射来自辐射源的极紫外辐射的掩模(或掩模版(reticle))，从而将来自所述掩模的图案转移至所述目标物。极紫外掩模的表面上的任何缺点(以及嵌入极紫外掩模中的缺点)可在所述目标物上造成成像缺点。因此，在光刻工艺期间保护极紫外掩模表面是重要的。与传统上采用薄膜来保护掩模表面的深紫外光刻中使用的掩模不同，当前难以大规模地制造用于极紫外掩模的有效薄膜。一个原因在于极紫外辐射的波长非常短且传统薄膜的隔膜将会大量吸收所述极紫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯层的形成方法，其特征在于，包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；在所述第一材料层之上沉积石墨烯层；在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件；使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层；自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。

【技术特征摘要】
2016.09.01 US 62/382,579;2016.11.18 US 15/356,2041.一种石墨烯层的形成方法，其特征在于，包括：在第一衬底之上沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂志强，陈俊郎，蔡嘉雄，游秋山，张宗裕，林志诚，刘丙寅，李信昌，林云跃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71