通过形成基于烃的超薄膜对层进行保护的方法技术

一种用于对层进行保护的方法包括：提供具有目标层的基材；在目标层上沉积保护层，所述保护层接触并覆盖目标层，并且由基于烃的层构成；以及在保护层上沉积氧化物层，以使得与氧化物层接触的保护层被氧化。通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)，使用烷基氨基硅烷前体和稀有气体而无需反应物的情况下形成基于烃的层。

A method of protecting the layer by forming a super thin film based on hydrocarbon

【技术实现步骤摘要】
通过形成基于烃的超薄膜对层进行保护的方法相关申请的交叉引用本申请是2015年07月13日提交的美国专利申请第14/798,136号的部分继续，其公开通过引用全文纳入本文。申请人在此明确撤回并撤销与本申请所支持的任何主题事项相关的在任何母案、子案或相关检控历史中作出的任何在先免责声明或否认。
技术介绍
专利
本专利技术总体上涉及一种利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)形成基于烃的极薄膜对层进行保护的方法，包括对掺杂层进行封盖以阻挡掺杂剂扩散的方法。
技术介绍
通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)在400℃或更低的温度下形成SiN膜而不引起对于下覆层的化学或物理破坏，由此使用膜作为杂质散出阻隔层、用于低k介电膜的封孔膜、以及用于下一代存储装置的保护膜的应用进行了研究。然而，由于半导体装置的尺寸下降，需要对这些膜进行进一步薄化。而且，因为需要降低加工温度，变得更难以获得具有足够耐化学性和阻隔性能的膜。例如，掺杂剂薄膜例如掺杂氧化硅的膜(例如，硼硅酸盐玻璃(BSG)膜和磷硅酸盐玻璃(PSG)膜)可以通过ALD工艺沉积在结构(例如FinFET结构)中的半导体基材上作为固态扩散层或固态掺杂(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对层进行保护的方法，所述方法包括：提供具有目标层的基材；在目标层上沉积保护层，所述保护层接触并覆盖目标层，并且由基于烃的层构成，所述基于烃的层通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)使用烷基氨基硅烷前体和稀有气体而无需反应物的情况下形成；以及在保护层上沉积氧化物层，以使得与氧化物层接触的保护层被氧化。

【技术特征摘要】
2016.09.01 US 15/254,7241.一种用于对层进行保护的方法，所述方法包括：提供具有目标层的基材；在目标层上沉积保护层，所述保护层接触并覆盖目标层，并且由基于烃的层构成，所述基于烃的层通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)使用烷基氨基硅烷前体和稀有气体而无需反应物的情况下形成；以及在保护层上沉积氧化物层，以使得与氧化物层接触的保护层被氧化。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基于烃的层由含有硅和氮的烃聚合物构成。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，目标层是硅基材。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物层由氧化硅构成。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物层由金属氧化物构成。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烷基氨基硅烷选自下组：双二乙基氨基硅烷(BDEAS)、双二甲基氨基硅烷(BDMAS)、己基乙基氨基硅烷(HEAD)、四乙基氨基硅烷(TEAS)、叔丁基氨基硅烷(TBAS)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、双二甲基氨基二甲基氨基...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤理亲，中野竜，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL