物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法技术

本发明专利技术涉及一种物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法，包括：每间隔一段时间取得一次物理气相沉积机台在固定沉积条件下分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自基片沉积厚度或方块电阻和分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自消减比，n为大于1的自然数，m为自然数；将获取的相同沉积条件和偏压下的同一检测点的多个基片沉积厚度数值进行对比，并将获取的相同沉积条件偏压下的同一检测点的多个消减比进行对比，根据对比结果判断机台受偏压影响的稳定性。本发明专利技术为PVD机台填充能力的测试增加了新的模拟手段，改变了目前模拟手段单一，影响变量多的现状。

【技术实现步骤摘要】
物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法
本专利技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。在三维存储器中，用于连线的金属层沉积结构通常采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)工艺和化学电镀(ECP)工艺实现。其中物理气相沉积工艺为，在真空条件下，采用物理方法，将材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。此项技术通过物理气相沉积机台(PVD机台)实现。伴随半导体工艺尺寸的不断降低，用于连线的金属层沉积结构也越来越复杂，在沟槽或孔结构的填充中，对种子层PVD工艺的要求越来越大。PVD机台中，铜离子的沉积受到偏压的影响，偏压越小，沉积效果越明显，对结构顶部，底部，平面区域的沉积效果越好，越有利于沉积厚膜，以便电镀工艺。偏压越大，轰击效应越明显，对沟槽或孔深处侧壁或底部的溅镀效果越好，越利本文档来自技高网...

【技术保护点】
物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法，其特征在于，包括以下步骤：每间隔一段时间取得一次物理气相沉积机台在固定沉积条件下分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自基片沉积厚度或方块电阻和分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自消减比，n为大于1的自然数，m为自然数；将获取的相同沉积条件和偏压下的同一检测点的多个基片沉积厚度数值进行对比，并将获取的相同沉积条件偏压下的同一检测点的多个消减比进行对比，根据对比结果判断机台受偏压影响的稳定性。

【技术特征摘要】
1.物理气相沉积机台对沟槽或孔的填充稳定性的模拟检测方法，其特征在于，包括以下步骤：每间隔一段时间取得一次物理气相沉积机台在固定沉积条件下分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自基片沉积厚度或方块电阻和分别在偏压为P1～Pn时m个检测点的各自消减比，n为大于1的自然数，m为自然数；将获取的相同沉积条件和偏压下的同一检测点的多个基片沉积厚度数值进行对比，并将获取的相同沉积条件偏压下的同一检测点的多个消减比进行对比，根据对比结果判断机台受偏压影响的稳定性。2.如权利要求1所述的模拟检测方法，其特征在于，取得基片沉积厚度或方块电阻和消减比的步骤包括：设定固定沉积条件，不施加偏压，使用物理气相沉积机台在基板上进行铜沉积，形成基准铜薄膜；随机选取m个测量点，测量基准铜薄膜的厚度或者方块电阻确定基准沉积厚度THKD11～THK...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，潘杰，吕术亮，章星，李远，万先进，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42