一种测序反应小室制备方法技术

本发明专利技术涉及基因测序设备制造领域，提供了一种测序反应小室的制备方法，包括以下步骤：遮掩步骤，将第二基片凹槽底面或第一表面对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域，用物理方法对目标区域进行遮掩；第一等离子化步骤，对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理；第二等离子化步骤，对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理；键合步骤，移除遮掩，将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合；硅烷化步骤，对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化，得测序反应小室。通过等离子化实现键合后再进行硅烷化能够更方便、简单的制备测序反应小室。

A method of sequencing reaction chamber preparation

The present invention relates to gene sequencing equipment manufacturing field, provides a method for preparing the sequencing reaction chamber, which comprises the following steps: step second will cover, the bottom surface of the first substrate groove or grooves corresponding to the surface area of the opening is defined as the target area, to cover the target area by physical method; the first plasma process. The plasma treatment on the first surface of the first substrate uncovered area; second steps of plasma, plasma treatment on the second surface of the second substrate uncovered area; bonding step, remove the cover, the second surface contact key first first surface of the substrate and the second substrate; silane steps for silylation of relative surface bonding in the target area of the product, to the sequencing reaction chamber. It is more convenient and simple to prepare the sequencing reaction chamber by plasma chemical bonding and silanizing.

【技术实现步骤摘要】
一种测序反应小室制备方法
本专利技术涉及基因测序设备制造领域，更具体地说，涉及一种测序反应小室制备方法。
技术介绍
在基因测序领域，测序反应一般通过磁珠在测序反应小室上进行。在测序反应小室设计时，一般采用多片式结构，使试剂从测序反应小室的反应通道中流过，并通过反应通道的一个硅烷化表面固定磁珠，进而完成基因测序反应。而在测序反应小室的制备的过程中，当进行等离子化步骤时，已被硅烷化的表面容易被破坏。因此，需要一种新的制备测序反应小室的方法，避免在等离子化过程中破坏硅烷化表面。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种测序反应小室制备方法，旨在解决测序反应小室的制备过程中，在进行等离子化步骤时，测序反应小室的硅烷化表面容易被破坏的问题。为了实现专利技术目的，本专利技术提供一种测序反应小室制备方法，包括以下步骤：遮掩步骤，第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面开设凹槽，将第二基片凹槽底面或第一表面对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域，用物理方法对目标区域进行遮掩；第一等离子化步骤，对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第一表面改性为亲水表面；第二等离子化步骤，对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第二表面改性为亲水表面；键合步骤，移除遮掩，将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合，得键合产物；硅烷化步骤，对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化，得测序反应小室。其中，所述遮掩步骤使用遮掩装置进行遮掩。进一步的，所述遮掩装置包括压紧装置、压块和工作台。进一步的，所述压紧装置包括移动块。进一步的，所述压块设于移动块的下方，所述压块下部为弹性压头。进一步的，所述工作台位于压块下方，所述工作台上设有基片放置位。进一步的，所述弹性压头用于遮掩置于基片放置位上的基片的目标区域。进一步的，所述压紧装置还包括导柱和配重块。进一步的，所述导柱固设在工作台上；所述移动块滑动套设在导柱上。进一步的，所述配重块可拆卸地安装在移动块上。进一步的，所述移动块设有配重块放置位，所述配重块可拆卸的安装在配重块放置位上。进一步的，所述压块可拆卸固定在移动块上。进一步的，所述压块包括左压块、右压块和夹在左压块和右压块之间的弹性压头；所述左压块固定在移动块下部；所述右压块可拆卸的固定在左压块上。进一步的，所述弹性压头为橡胶薄膜或封口膜。进一步的，所述左压块或右压块包括方条状的承压部和板状的固定部。所述基片放置位包括基片限位台阶。进一步的，所述键合步骤具体为：通过贴合，将第一基片的第一表面与第二基片的第二表面接触，进而形成共价结合力紧密连接。其中，所述第一基片为上基片，第二基片为下基片。其中，所述第一基片为下基片，第二基片为上基片。进一步的，所述等离子化处理具体为将第一基片或第二基片置于混合有氧气和惰性气体的容器后经紫外灯照射或将第一基片或第二基片置于混合有氧气和氮气的容器后经紫外灯照射。进一步的，所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。进一步的，所述硅烷化产物具有一反应通道，所述硅烷化具体为将硅烷化试剂通入反应通道，使键合产物中目标区域的相对表面浸泡在硅烷化试剂中进行反应。进一步的，所述第二基片的材质为PDMS。进一步的，所述上基片的材质为玻璃薄片。进一步的，在所述遮掩步骤前还包括清洗步骤，所述清洗步骤包括采用异丙醇对第一基片或第二基片进行清洗。由上可知，本专利技术通过对目标区域的遮掩，实现了在等离子化过程中对目标区域的保护，保证了测序反应小室的制备质量。附图说明图1为本专利技术一实施例中的测序反应小室制备方法流程示意图。图2为本专利技术一实施例中的遮掩装置的示意图。图3为本专利技术一实施例中遮掩的上基片示意图。图4为本专利技术一较佳实施例的遮掩装置的工作台的结构示意图。图5为本专利技术一较佳实施例的遮掩装置的配重块的结构示意图。图6为本专利技术一较佳实施例的遮掩装置的压块的结构示意图。图7为本专利技术一实施例的遮掩装置的移动块结构示意图。图8为本专利技术另一实施例的遮掩装置的移动块结构示意图。图9为本专利技术再一替代实施例的遮掩装置的移动块结构示意图。图10为本专利技术一具体实施例的遮掩装置结构示意图。图11为本专利技术一替代实施方案的遮掩装置的压块结构示意图。图12为本专利技术一实施例中等离子化上基片的示意图。图13为本专利技术一实施例中等离子化下基片的示意图。图14为本专利技术一实施例中键合产物示意图。图15是本专利技术一实施例中测序反应小室示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。本专利技术的实施例所使用的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词仅以图示中的方向为参考进行描述，并不构成对本专利技术的限定。本专利技术提出一实施例，一种制备测序反应小室的方法，如图1所示，包括以下步骤：遮掩步骤S1：第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面开设凹槽，将第二基片凹槽底面或第一表面对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域，用物理方法对目标区域进行遮掩。第一等离子化步骤S2：对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第一表面改性为亲水表面。第二等离子化步骤S3：对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第二表面改性为亲水表面。键合步骤S4：移除遮掩，将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合，得键合产物。硅烷化步骤S5：对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化，得测序反应小室。本实施例通过对测序小室目标区域进行遮掩，能够实现测序反应小室在制备过程中，在进行等离子化步骤时，保护测序反应小室目标区域，保证了测序反应小室的制备质量。在第一实施例中，第一基片为上基片，第二基片为下基片；所述目标区域为第二基片凹槽底面。在另一替代实施例中，第一基片为上基片，第二基片为下基片，所述目标区域为第一基片对应凹槽开口范围的区域。在又一替代实施例中，第一基片为下基片，第二基片为上基片；所述目标区域为第二基片凹槽底面。在再一替代实施例中，第一基片为下基片，第二基片为上基片；所述目标区域为第一基片对应凹槽开口范围的区域。针对遮掩步骤S1中的物理方法，本专利技术有多个实施方案，以下将通过多个实施例进行进一步阐述。例如，在本专利技术的一实施例中，本实施例的第一基片为上基片，第二基片为下基片，所述目标区域为第一基片对应凹槽开口范围的区域。所述物理方法为使用遮掩装置遮掩，所述遮掩装置如图2-3所示，包括压紧装置110、压块120和工作台130。压紧装置110包括沿朝向或远离工作台方向滑动的移动块；压块120设于压紧装置110的下方，压块120下部包括弹性压头140；工作台130位于压块120下方，工作台130上设有基片放置位131；弹性压头140，用于按压和遮掩置于基片放置位上的目标区域103。如图3所示，本实施例中的弹性压头140与上基片101上的目标区域103相对。使用遮掩装置对目标区域103进行遮掩能够保证上基片的目标区域103完全被密封遮掩，从而在进行第一等离子化步骤时，达到保护目标区域表面的目的，保证测序反应小室的制备质量。本实施例通过可滑动的移动块配合压块实现了对放置在工作台上上基片的目标区域的遮掩。此外，压块下部为弹性压头使得对目标区域的遮掩的密闭性更好。基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测序反应小室制备方法，包括下列步骤：遮掩步骤，第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面开设凹槽，将第二基片凹槽底面或第一表面上对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域，用物理方法对目标区域进行遮掩；第一等离子化步骤，对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第一表面改性为亲水表面；第二等离子化步骤，对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第二表面改性为亲水表面；键合步骤，移除遮掩，将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合，得键合产物；硅烷化步骤，对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化，得测序反应小室。

【技术特征摘要】
1.一种测序反应小室制备方法，包括下列步骤：遮掩步骤，第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面开设凹槽，将第二基片凹槽底面或第一表面上对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域，用物理方法对目标区域进行遮掩；第一等离子化步骤，对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第一表面改性为亲水表面；第二等离子化步骤，对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理，将第二表面改性为亲水表面；键合步骤，移除遮掩，将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合，得键合产物；硅烷化步骤，对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化，得测序反应小室。2.根据权利要求1所述的测序反应小室制备方法，其特征在于，所述遮掩步骤使用遮掩装置进行遮掩；所述遮掩装置包括压紧装置、压块和工作台；所述压紧装置包括移动块；所述压块设于移动块的下方，所述压块下部为弹性压头；所述工作台位于压块下方，所述工作台上设有基片放置位；所述弹性压头用于遮掩置于基片放置位上的基片的目标区域。3.根据权利要求2所述的测序反应小室制备方法，其特征在于，所述压紧装置还包括导柱和配重块；所述导柱固设在工作台上；所述移动块滑动套设在导柱上，所述配重块可拆卸地安装在移动块上，所述移动块设有配重块放置位，所述配重块可拆卸安装在配重块放置位上。4.根据权利要求3所述的测序反应小室制备方法，其特征在于，所述压块可拆卸固定在移动块上，所述压块包括左压块、右压块和夹在左压块和右压块之间的弹性压头；所述左压块固定在移动块下部；所述右压块可拆卸的固定在左压块上。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛司潼，祝捷，
申请(专利权)人：广州康昕瑞基因健康科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44