一种背面深反应离子蚀刻的方法技术

本发明专利技术公开了一种背面深反应离子蚀刻的方法，包括：根据微机电结构设计要求确定待背面深反应离子蚀刻器件所需蚀刻的形状；根据该形状确定在所述器件的正面所对应的形状；将所述正面所对应的形状蚀刻出沟槽；按背面深反应离子蚀刻工艺在所述器件背面根据微机电结构设计要求进行蚀刻。采用本发明专利技术，可以在不考虑蚀刻设备因素，晶片厚度以及设计结构尺寸和密度的情况下，有效地减小微机电系统元件在背面深反应离子蚀刻后形成的机械结构差异，提高元件的稳定性，一致性和生产出元件的性能的可预知性，最终提高产能。

A method of deep reaction on the back of ion etching

Including the method, the invention discloses a backside deep reactive ion etching of MEMS structure: according to the design requirements to determine the deep reactive ion etching devices required for etching shape; according to the corresponding on the front of the device determines the shape of the shape; corresponding to the shape of the front trenches are etched by; on the back of a deep reactive ion etching process on the back surface of the device according to the design requirements of the etching of MEMS structures. The invention can not consider the factors and the thickness of the wafer etching equipment, design of structure size and density, effectively reduce the mechanical structure difference of MEMS device is formed in the back of a deep reactive ion etching after, improve device stability, consistency and produce element performance predictability, and ultimately improve production capacity.

【技术实现步骤摘要】
一种背面深反应离子蚀刻的方法
本专利技术涉及微机电
，特别涉及一种背面深反应离子蚀刻的方法。
技术介绍
目前概括来说可以通过三种手段实现MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)中的悬浮结构。第一种：图1为粘合技术实现示意图，如图所示，先进行第一步处理：晶片粘合获得(a)中示意的结构；然后进行第二步处理：定义微机电系统元件获得(b)中示意的结构。粘合技术是通过晶片之间的粘合技术来实现。通过这种技术所实现的微机电悬浮结构往往受制于尺寸(一般结构长、宽小于400微米)和薄膜厚度(一般大于4微米)的要求，并且相邻结构之间的间距和晶片表面光滑度等要求也对能否成功粘合起至关重要的作用。所以这种微加工技术的应用领域受限，其成本也相对较高。第二种：图2为湿法蚀刻技术实现示意图，如图所示，先进行第一步处理：正面定义微结构获得(a)中示意的结构；然后进行第二步处理：背面湿法蚀刻获得(b)中示意的结构。湿法蚀刻技术可以通过湿法蚀刻的技术来实现正面悬浮微机电结构。此技术是的出发点是基于针对不同晶格方向上的硅材料有不同的腐蚀速度，例如，利用氢氧化钾沿&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面深反应离子蚀刻的方法，其特征在于，包括：根据微机电结构设计要求确定待背面深反应离子蚀刻器件所需蚀刻的形状；根据该形状确定在所述器件的正面所对应的形状；将所述正面所对应的形状蚀刻出沟槽；按背面深反应离子蚀刻工艺在所述器件背面根据微机电结构设计要求进行蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种背面深反应离子蚀刻的方法，其特征在于，包括：根据微机电结构设计要求确定待背面深反应离子蚀刻器件所需蚀刻的形状；根据该形状确定在所述器件的正面所对应的形状；将所述正面所对应的形状蚀刻出沟槽；按背面深反应离子蚀刻工艺在所述器件背面根据微机电结构设计要求进行蚀刻。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在蚀刻出的沟槽内沉积与硅蚀刻相比而言的高蚀刻选择比材料。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高蚀刻选择比材料是氧化层材料或金属层材料。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待背面深反应离子蚀刻器件是为实现悬空结构的微机电结构设计的器件。5.如权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韬，
申请(专利权)人：深圳市诺维创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44