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本发明公开了一种背面深反应离子蚀刻的方法，包括：根据微机电结构设计要求确定待背面深反应离子蚀刻器件所需蚀刻的形状；根据该形状确定在所述器件的正面所对应的形状；将所述正面所对应的形状蚀刻出沟槽；按背面深反应离子蚀刻工艺在所述器件背面根据微机电...
该专利属于深圳市诺维创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市诺维创科技有限公司授权不得商用。

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