一种硅晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅晶体生长炉，包括炉体外壳、设置在所述炉体外壳内的保温层和生长坩埚，所述生长坩埚设置在所述保温层内，所述硅晶体生长炉还包括至少两组通电线圈，所述通电线圈设置在所述炉体外壳外或所述炉体外壳与所述保温层之间以使产生的磁场覆盖所述生长坩埚。采用本实用新型专利技术的硅晶体生长炉，抑制硅溶液对生长坩埚的侧壁和底壁的冲刷，减少生长坩埚中氧杂质的带入，方便杂质粒子沿垂直于生长坩埚的底壁的方向运动，被垂直对流带到硅溶液的表面，被挥发排出。

A silicon crystal growth furnace

The utility model discloses a silicon crystal growth furnace, comprising a furnace body shell, is arranged on the furnace shell in the insulation layer and the growth crucible, the growth of the crucible is arranged on the insulation layer, the silicon crystal growth furnace also comprises at least two groups of coil, the coil set in the furnace shell or the furnace shell and the insulating layer between the magnetic field generated to cover the growth crucible. The utility model adopts the furnace for the growth of silicon crystal, inhibition of silicon solution on the side wall and the bottom wall of the growth crucible erosion, reduce growth into oxygen impurity in the crucible, the bottom wall convenient impurity particles along the direction perpendicular to the direction of movement of the growth crucible, by vertical convection brought to the surface silicon solution, by evaporation discharge.

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶体生长炉
本技术涉及太阳能发电领域，特别涉及一种从硅溶液中定向凝固生长晶体的硅晶体生长炉。
技术介绍
目前太阳能领域使用的晶体生长炉，主要包括用于生长多晶锭和单晶片的多晶铸锭炉和单晶生长炉。这些晶体生长炉通过石墨加热器对放置在坩埚内的硅料进行加热，使其完全熔化，然后通过降低加热功率或散热完成晶体生长。高温的硅熔液会与石英坩埚内表面接触并反应生成SiO等硅氧化合物，这些硅氧化合物有一部分溶解进入硅熔液内部，这是硅晶体中氧含量上升的一个主要原因。在硅熔液中，由于温度和空间的限制，硅熔液还存在不同方向的对流，这些硅熔液流动会将更多的SiO气体带入硅熔液内，也加剧了硅熔液对坩埚内表面的冲刷，这进一步增加了硅晶体中的氧含量。硅晶体中的氧会与掺杂元素硼形成硼-氧复合体，在做成电池后，这些硼-氧复合体会造成光电转换效率显著衰减(光致衰减)，这会严重影响太阳能电池效率。尤其对发射极及背面钝化电池技术(PERC)等高效电池工艺，这种衰减更加明显，这会严重影响电池光电效率表现。因此，降低硅晶体中的氧含量，是非常必要和有意义的技术方向。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，提供一种能够降低硅晶体中的氧含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶体生长炉，包括炉体外壳、设置在所述炉体外壳内的保温层和生长坩埚，所述生长坩埚设置在所述保温层内，其特征在于，所述硅晶体生长炉还包括至少两组通电线圈，所述通电线圈设置在所述炉体外壳外或所述炉体外壳与所述保温层之间以使产生的磁场覆盖所述生长坩埚。

【技术特征摘要】
1.一种硅晶体生长炉，包括炉体外壳、设置在所述炉体外壳内的保温层和生长坩埚，所述生长坩埚设置在所述保温层内，其特征在于，所述硅晶体生长炉还包括至少两组通电线圈，所述通电线圈设置在所述炉体外壳外或所述炉体外壳与所述保温层之间以使产生的磁场覆盖所述生长坩埚。2.根据权利要求1所述的硅晶体生长炉，其特征在于，至少一组所述通电线圈设置在所述生长坩埚的上方，至少一组所述通电线圈设置在所述生长坩埚的下方。3.根据权利要求2所述的硅晶体生长炉，其特征在于，所述生长坩埚为长方体形状，所述通电线圈均平行于所述生长坩埚的上下表面。4.根据权利要求3所述的硅晶体生长炉，其特征在于，位于所述生长坩埚上方并最靠近所述生长坩埚的上表面的所述通电线圈距离所述生长坩埚的上表面的距离为0mm-100mm,位于所述生长坩埚下方并最靠近所述生长坩埚的下表面的所述通电线圈距离所述生长坩埚的下表面的距离为0mm-100mm。5.根据权利要求4所述的硅晶体生长炉，其特征在于，位于所述生长坩埚上方并最靠近所述生长坩埚的上表面的所述通...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏，陈骏，张涛，刘瑞鸿，
申请(专利权)人：镇江仁德新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32