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本实用新型公开了一种硅晶体生长炉，包括炉体外壳、设置在所述炉体外壳内的保温层和生长坩埚，所述生长坩埚设置在所述保温层内，所述硅晶体生长炉还包括至少两组通电线圈，所述通电线圈设置在所述炉体外壳外或所述炉体外壳与所述保温层之间以使产生的磁场覆盖...
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