【技术实现步骤摘要】
不同厚度盘状丝光沸石的合成方法
本专利技术涉及一种不同厚度盘状丝光沸石的合成。
技术介绍
丝光沸石沿c轴的12MR(十二元环孔道)方向具有较强的生长势能,因此通常很容易得到二维尺度的丝光沸石纳米棒状晶体,即斜方双锥晶类,D2h-mmm(3L23PC),晶体沿c轴延长线成针状或纤维状,集合体呈放射状、束状、纤维状等。如Zhang等发现,在无有机模板剂条件下,通过调控合成配比得到了一系列纤维状、棒状、棱柱状和针状的二维尺寸的丝光沸石纳米晶(MaterialsResearchBulletin,2011,46:894-900);Ren等发现,由于该类形貌丝光沸石晶体的各向异性,定向生长后易导致取向性盘状聚集体的形成(JMaterChem,2012,22,6564-6567.),即得到c-轴阵列丝光沸石晶体。同时,丝光沸石通常很难有效抑制晶体沿c轴有五元环组成链状结构的优先生长,还容易沿平行于c轴和b轴的二维通道定向生长成斜方晶系的片状丝光沸石,如Samanta等以磷酸为促进剂合成得到盘状的高硅丝光沸石晶体(JMolCatalA:Chem,2004,215:169-175) ...
【技术保护点】
一种不同厚度盘状丝光沸石,其特征在于在晶化过程中纳米丝光沸石晶体自发聚集的样品形貌为盘状;晶化产物为MOR构型的丝光沸石,其中,单个纳米丝光沸石为短柱状晶体,三维尺寸均介于5~1000nm之间。
【技术特征摘要】
1.一种不同厚度盘状丝光沸石,其特征在于在晶化过程中纳米丝光沸石晶体自发聚集的样品形貌为盘状;晶化产物为MOR构型的丝光沸石,其中,单个纳米丝光沸石为短柱状晶体,三维尺寸均介于5~1000nm之间。2.根据权利要求1所述不同厚度盘状丝光沸石,其特征在于样品形貌为盘状的纳米丝光沸石晶体为圆盘状。3.根据权利要求1所述不同厚度盘状丝光沸石,其特征在于该盘状丝光沸石聚集体的厚度为单个纳米丝光沸石晶体沿c轴的生长长度,尺寸介于5~1000nm,该盘状丝光沸石的比表面积为300~800m2/g。4.根据权利要求3所述不同厚度盘状丝光沸石,其特征在于该盘状丝光沸石聚集体的厚度为50~500nm,盘状丝光沸石比表面积的范围为380~600m2/g。5.一种权利要求1~4中所述的任意一种不同厚度盘状丝光沸石的合成方法,包括以下步骤:(a)母液配制:晶化液由硅源、铝源、有机模板剂T、有机溶剂O及去离子水组成,摩尔比SiO2/Al2O3=5~50,T/SiO2=0.01~0.8,O/SiO2=0.001~1,H2O/SiO2=5~30,并通过强酸或强碱调整晶化前母液的pH值为9~14;(b)将上述晶化母液,先在常温条件下搅拌均匀后装入四氟乙烯内衬的不锈钢晶化釜中,在80~230℃晶化0.5~200小时,晶化后经过滤、洗涤至pH值为7,干燥后于450~650℃下焙烧得到分子筛。6.根据权利要求5所述不同厚度盘状丝光沸石的合成方法,其特征在于(a)步骤中所使用的...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔德金,童伟益,祁晓岚,
申请(专利权)人:中国石油化工股份有限公司,中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。