用于电解保护的二极管器件结构制造技术
Diode device structure for electrolysis protection
【技术实现步骤摘要】
用于电解保护的二极管器件结构
本技术涉及一种用于电解保护的二极管器件结构。
技术介绍
在普通的LED驱动线路中，一般LED所在线路的两端并联一电解电容电路，如图1所示，当LED出现故障时，利用电解电容对线路进行保护。在正常工作时，LED驱动线路提供恒定电流给LED灯供电。LED灯在失效的时候存在开路和短路两种模式。当LED灯短路时，驱动线路中的IC会提供短路保护，使LED灯停止工作。即使IC异常，也就只是把保险丝和桥电路部分烧毁。当LED灯开路时，驱动线路中的IC会提供开路保护，此种保护是通过检测电解电容上的电压上升到一定值后进行保护，此种保护方法相对不可靠。当IC不能很好保护时，若电解电容两端的电压长时间高于额定电压，电解电容会烧毁炸裂，严重时会引起火灾等安全隐患。为了解决该问题，目前市场上主要采用两种方式解决该问题。一是采用更高电压的电解电容，这样的好处是即使IC没有保护动作，也不会引起电解烧毁。但是采用更高电压的电解电容会带来成本上升，另外在部分升压线路中，及时采用更高电压的电解电容也无法解决问题。二是在电解电容上并联一个TVS或稳压管，如图2所示，在LED...
【技术保护点】
一种用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域(1)、第二区域(2)、第三区域(3)和第四区域(4)；所述第一区域(1)为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域(1)的方块电阻为0.2‑20Ω/m2，结深为3‑20μm；所述第二区域(2)为P型基底材料无掺杂的本征区域；所述第三区域(3)为在P型基底材料的上半部进行的淡磷掺杂区域，该第三区域(3)的方块电阻为20‑100Ω/m2，结深10‑40μm；所述第四区域(4)为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域，该第四区域(4)的方块电阻为...
【技术特征摘要】
1.一种用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域(1)、第二区域(2)、第三区域(3)和第四区域(4)；所述第一区域(1)为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域(1)的方块电阻为0.2-20Ω/m2，结深为3-20μm；所述第二区域(2)为P型基底材料无掺杂的本征区域；所述第三区域(3)为在P型基底材料的上半部进行的淡磷掺杂区域，该第三区域(3)的方块电阻为20-100Ω/m2，结深10-40μm；所述第四区域(4)为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域，该第四区域(4)的方块电阻为0.2-20Ω/m2，结深为1-15μm；在所述第四区域(4)的上表面上还设置有表面钝化层(7)；上述四个区域形成NPNP型四层结构，此四层结构包括三个PN结，当第一区域(1)与第四区域(4)之间的正向电压使第二区域(2)与第三区域(3)之间的PN结J2击穿时，此四层结构呈导通状态。2.根据权利要求1所述的用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：在所述P型基底材料的上表面所述第四区域(4)的周围还设置有第五区域(5)，第五区域(5)为在P型基底材料的上表面进行的浓磷掺杂区域，该第五区域(5)的方块电阻为0.2-20Ω/m2，结深为3-20μm；所述第五区域(5)的靠近第三区域(3)的一侧与第三区域(3)重叠。3.根据权利要求2所述的用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：在所述P型基底材料的上表面边缘设置有第六区域(6)，第六区域(6)为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域，该第六区域(6)的方块电阻为0.2-20Ω/m2，结深为1-15μm。4.根据权利要求1所述的用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：所述表面钝化层(7)为氧化钝化层或SIPOS钝化层，氧化钝化层的厚度为1-4μm，SIPOS钝化层的厚度1-4μm。5.根据权利要求1所述的用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：第三区域(3)的宽度为100-5000μm，第四区域(4)的宽度为100-5000μm，并且第三区域(3)被第四区域(4)包围...
【专利技术属性】
技术研发人员：何飞，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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