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本实用新型公开了一种用于电解保护的二极管器件结构，包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域的方块电阻为0.2‑2...
该专利属于常州银河世纪微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州银河世纪微电子股份有限公司授权不得商用。

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